[发明专利]真空处理装置

说明书

本发明提供一种可抑制反应气体的泄漏的真空处理装置及托盘。本发明的真空处理装置包括：腔室(20)，可将内部设为真空；旋转平台(31)，设置于腔室(20)内，以将旋转平台(31)的旋转轴心设为中心的圆周的轨迹而循环搬送工件(W)；多个托盘(1)，搭载于旋转平台(31)，并载置工件(W)；以及处理部，将反应气体(G)导入至通过旋转平台(31)而搬送的工件(W)的周围，并利用等离子体进行规定处理；并且处理部具有:在和托盘(1)的与处理部相向的面之间，空开能够供载置于托盘(1)的工件(W)经过的间隔，并沿着旋转平台(31)的径方向配置的屏蔽构件(8)、屏蔽构件(58)，多个托盘(1)的相向于处理部的面具有沿圆周的轨迹连续且成为同一平面的部分。

技术领域

本发明涉及一种真空处理装置及托盘。

背景技术

在半导体装置或液晶显示器(display)或者光盘(disk)等各种制品的制造步骤中，有在例如晶片(wafer)或玻璃基板等工件(work)上制作光学膜等薄膜的情况。薄膜可通过对工件形成金属等的膜的成膜、或对所形成的膜而进行蚀刻(etching)、氧化或氮化等膜处理等而制作。

成膜或膜处理可利用各种方法来进行，作为其一，有使用等离子体(plasma)的方法。在成膜中，将作为反应气体的惰性气体导入至配置有靶材(target)的腔室(chamber)内，并对靶材施加直流电压。使经等离子体化的惰性气体的离子(ion)碰撞靶材，使自靶材撞出的材料堆积于工件而进行成膜。在膜处理中，将作为反应气体的处理气体(processgas)导入至配置有电极的腔室内，并对电极施加高频电压。使经等离子体化的处理气体的离子、自由基等活性种碰撞工件上的膜，由此进行膜处理。

存在一种真空处理装置，其在一个腔室的内部设置旋转平台(table)，在旋转平台上方的圆周方向上配置有多个处理部，以便可连续地进行此种成膜与膜处理(例如，参照专利文献1)。所述处理部是配置有多个成膜用的单元(unit)与膜处理用的单元者。如上所述般将工件保持于旋转平台上并加以搬送，使其在成膜单元与膜处理单元的正下方经过，由此形成光学膜等。

在如上所述般的真空处理装置中，在腔室内的与成膜单元相对应的位置，通过屏蔽(shield)构件而形成成膜室。另外，在膜处理单元中，设置筒状的构成构件即筒部，自筒部的内部至下方形成导入处理气体的气体空间。而且，将介电体(dielectric)的窗构件介隔O型环(O ring)等密封构件，而搭载于形成于筒部的开口的凸缘，由此将气体空间密封。窗构件中所使用的介电体可使用石英等相对较硬且脆的材质。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利第4428873号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

在如上所述般的真空处理装置中，为了容许工件的经过，成膜单元的屏蔽构件的缘部空开间隙且接近于工件。但是，在成膜单元中，为了极力减少来自屏蔽构件的成膜材料或惰性气体的泄漏，优选为尽可能减小屏蔽构件与工件的间隔。另外，在膜处理单元的筒部的缘部，为了容许工件的经过，也在与工件之间空开间隙。在膜处理单元中，为了极力减少来自筒部的处理气体的泄漏，也优选为尽可能减小筒部与工件的间隔。因此，设定为在屏蔽构件的缘部与工件之间、筒部与工件之间分别形成例如几毫米的间隙。

然而，在旋转平台的表面与工件中的要成膜的面之间产生高低差。如此，即便减少工件与屏蔽构件或筒部的间隙，不存在工件的部位中的旋转平台的表面与屏蔽构件或筒部的间隙也扩大。因此，在不存在工件的部位，产生反应气体的泄漏或迂回。例如，当在成膜单元中使用氩气作为反应气体、在膜处理单元中使用氧气作为反应气体时，产生一者混入另一者的污染(contamination)会阻碍两者的反应而欠佳。

本发明的目的在于提供一种可抑制来自处理部的反应气体的泄漏的真空处理装置及托盘。

[解决问题的技术手段]