[发明专利]一种半导体返工方法在审
| 申请号： | 201910213266.7 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111725056A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 胡咏兵 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26;H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 返工 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体返工方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)提供刻蚀工艺后的不合格半导体，用紫外灯照射；
(2)对步骤(1)处理后的半导体进行碱制绒；
(3)对步骤(2)处理后的半导体进行清洗，然后进行后续工艺制成成品。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碱制绒的制绒溶液为NaClO3与NaOH的混合溶液。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述制绒溶液中NaClO3与NaOH的质量浓度比为：10:1-15:1。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碱制绒的制绒溶液的温度为65-85℃。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述碱制绒的方法为将步骤(1)处理后的半导体浸泡于碱制绒的制绒溶液中。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述碱制绒浸泡的时间为120-180s。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)中清洗的方法为对步骤(2)处理后的半导体用去离子水和稀盐酸进行交替清洗。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述紫外灯照射的功率为100W，照射的时间为25min。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)中碱制绒后的后续工艺包括粘结、电路连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
