[发明专利]苯并脂环族二酐及低介电常数聚酰亚胺前体薄膜

权利要求书

1.一种苯并脂环族二酐，其特征在于，它具有如下(1)～(8)所示任意一种结构：

2.一种低介电常数聚酰亚胺前体薄膜，其特征在于，它通过以下方法制备得到：

(1)制备聚酰亚胺前体溶液：将二胺充分溶解于非质子性极性溶剂中，之后加入苯并脂环族二酐，并在氮气或惰性气体的保护下于-10～35℃范围内反应0.5-5h，得聚酰亚胺前体溶液；所述二胺和苯并脂环族二酐的摩尔比为1:1-1.1，且二胺和苯并脂环族二酐的总质量分数为聚酰亚胺前体溶液的10-35wt％，

(2)涂膜：将聚酰亚胺前体溶液涂布于基材上。

(3)酰亚胺化：在氮气氛围下，将步骤2涂膜后的基材于40-80℃干燥6-20h；之后加热至150℃，保温30-90min；再加热至200℃，保温30-90min；再加热至250℃，保温30-90min；最后，加热至350℃，保温5-60min。

(4)应力消除：控制降温速率为1-10℃/min，直到室温。

3.根据权利要求2所述低介电常数聚酰亚胺前体薄膜，其特征在于，所述二胺由1,4-二氨基苯、4,4’-二氨基联苯、4,4’-二氨基苯基醚、4,4’-二氨基二苯基酮、二氨基二苯醚二苯砜、二氨基二苯醚双酚A、2,2’-二甲基-4,4’-二氨基联苯、1,3-双(3-氨基苯氧基)苯、3,4-二氨基二苯基醚、二氨基二苯醚-6氟-双酚A、2,2’-双(三氟甲基)联苯胺中的一种或多种按任意配比混合组成。

4.根据权利要求2所述低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述步骤(1)中，还加入添加剂，所述添加剂的含量为聚酰亚胺前体溶液的0.1-5wt％。

5.根据权利要求4所述低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述添加剂包括酰亚胺化促进剂、表面活性剂、阻燃剂；所述酰亚胺化促进剂由乙酸酐、吡啶中的一种或两种按任意配比混合组成，所述阻燃剂包括无机填料和有机磷化合物，无机填料由二氧化硅、硫酸钡、氢氧化铝中的一种或多种按任意配比混合组成，有机磷化合物为磷酸酯。

6.根据权利要求2所述低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述非质子性极性溶剂由N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、二乙二醇单甲基醚中的一种或多种按任意配比混合组成。

7.根据权利要求2所述低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述基材包括铜、铝、玻璃等。

8.根据权利要求2所述低介电常数聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述涂布的工艺包括旋涂法、喷涂法、浸渍法、流延法等。