[发明专利]一种具有L型SiO2 有效
| 申请号： | 201910213984.4 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN109920840B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈伟中;黄垚;李顺;黄义;贺利军 | 申请（专利权）人： | 重庆邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400065 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 sio base sub | ||
1.一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述复合型RC-LIGBT器件包括L型SiO2隔离层(16)、LDMOS区(S1)、LIGBT区(S2)、集电极(7)以及共用的有源区；
所述复合型RC-LIGBT器件被所述L型SiO2隔离层(16)分割形成左上区域的LDMOS区(S1)以及右下区域的LIGBT区(S2)；
所述共用的有源区包括源极(4)、栅极(2)、栅氧化层(3)、介质隔离层(10)和衬底(11)，所述栅氧化层(3)位于所述源极(4)与所述L型SiO2隔离层(16)的水平末端之间，所述栅氧化层(3)完全包围所述栅极(2)。
2.根据权利要求1所述一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述LDMOS区(S1)包括从左至右设置的P-body的重掺杂P+区(13)、轻掺杂P区(5)、矩形N-漂移区(6)、弧形N-buffer区(9)以及N-Collector区(12)；其中P-body的重掺杂P+区(13)与源极(4)相连。
3.根据权利要求2所述一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述LDMOS区(S1)还包含N+电子发射极(1)，所述N+电子发射极(1)左面与源极(4)接触，上面与P-body的重掺杂P+区(13)接触，右面与轻掺杂P区(5)接触，下面与栅氧化层(3)接触。
4.根据权利要求1所述一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述LIGBT区(S2)的水平方向从左至右依次设置有P-body的重掺杂P+区(13)、轻掺杂P区(5)、L型N-漂移区(15)，其中P-body的重掺杂P+区(13)与源极(4)相连。
5.根据权利要求4所述一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述LIGBT区(S2)还包括N+电子发射极(1)，所述N+电子发射极(1)左面与源极(4)接触，上面与栅氧化层(3)接触，右面与轻掺杂P区(5)接触，下面与P-body的重掺杂P+区(13)接触。
6.根据权利要求4所述一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述LIGBT区(S2)的还包括设置在所述L型N-漂移区(15)竖直端上方的N-buffer区(14)以及位于N-buffer区(14)上方的P-Collector区(8)。
7.根据权利要求1所述一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述集电极(7)下部从左到右依次与N-Collector区(12)、L型SiO2隔离层(16)竖直端以及P-Collector区(8)接触。
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