[发明专利]芯片切割用UV減粘膜

说明书

本发明公开了芯片切割用UV減粘膜，包括丙烯酸树脂、环氧树脂交连剂共聚合的胶料、多元不饱和树脂、起始剂混合液和抗静电剂，所述丙烯酸树脂是丙烯酸、甲基丙烯酸及其衍生物聚合物的总称，丙烯酸树脂涂料就是以(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯为主体，同其他丙烯酸酯共聚所得丙烯酸树脂制得的热塑性或热固性树脂涂料，或丙烯酸辐射涂料，減粘膜采用特殊研发的玻化温度为‑25～‑35℃的丙烯酸树脂；本发明采用自行研发的玻化温度为‑25～‑35℃的丙烯酸树脂，采用自行开发之PO底材，是属于一种环保型材料，有异于国外进口之聚氯乙烯(有毒物质)，环氧树脂交连剂共聚合的胶料，烃基高5％以上，不仅使用简单，同时降低了工作难度。

技术领域

本发明属于減粘膜技术领域，具体涉及芯片切割用UV減粘膜。

背景技术

UV胶带的结构是底材为PVC膜(聚氯乙烯以下称PVC膜)、UV胶层、离型保护膜(PET离型保护膜以下称离型保护膜)，在使用时为将离型保护膜撕开黏贴于晶圆背面，当切割(划片)加工完成后，经由紫外线从PVC方向照射，其胶带的黏着力急速降低近乎于零，以便于挑捡。

现有的国内采用丙烯酸树脂不适当，以致于黏着效果差、附着力、内聚力不足，易飞晶、易残胶，同时国内多采用3个碳-碳双键的不饱和树脂，胶带降黏差，照射紫外线后黏着力约50g/20mm，完全无法挑拣，内聚力也相对的低，容易发生残胶，不仅增加了工作难度，同时耽搁了工作的顺利进展，带来了经济损失的问题，为此我们提出芯片切割用UV減粘膜。

发明内容

本发明的目的在于提供芯片切割用UV減粘膜，以解决上述背景技术中提出的现有的国内采用丙烯酸树脂不适当，以致于黏着效果差、附着力、内聚力不足，易飞晶、易残胶，同时国内多采用3个碳-碳双键的不饱和树脂，胶带降黏差，照射紫外线后黏着力约50g/20mm，完全无法挑拣，内聚力也相对的低，容易发生残胶，不仅增加了工作难度，同时耽搁了工作的顺利进展，带来了经济损失等问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：芯片切割用UV減粘膜，包括丙烯酸树脂、环氧树脂交连剂共聚合的胶料、多元不饱和树脂、起始剂混合液和抗静电剂，所述丙烯酸树脂是丙烯酸、甲基丙烯酸及其衍生物聚合物的总称，丙烯酸树脂涂料就是以(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯为主体，同其他丙烯酸酯共聚所得丙烯酸树脂制得的热塑性或热固性树脂涂料，或丙烯酸辐射涂料，減粘膜采用特殊研发的玻化温度为-25～-35℃的丙烯酸树脂，改善胶层过软或过硬的缺点，避免晶圆背面残胶与铁环(Frame)贴合脱离、切割晶圆(Wafer)之背崩及间格纸(泰维克纸)沾黏。

优选的，所述环氧树脂交连剂共聚合的胶料烃基高5％以上，使胶料网状交连、与PVC薄膜间的凡德瓦尔力大幅提高，使附着力与内聚力大幅增强，能加工出超薄微成品晶圆(国内同类产品采用丁基丙烯酸胶料，聚氨酯硬化剂，烃基小，胶料呈线状无网状交连、与聚氯乙烯薄膜间的凡德瓦尔力低，附着力与内聚力低，只能加工出较大尺寸的成品晶圆)；改善晶圆(Wafer)切割时脱胶。

优选的，所述多元不饱和树脂是指由二元酸和二元醇经缩聚反应而生成的含有不饱和双键的高分子化合物，本发明采用单一分子含多个碳-碳双键的多元不饱和树脂，增加光交连反应。

优选的，所述起始剂混合液为特殊研制的吸收波长为265nm～410nm光起始剂混合液，使聚氯乙烯薄膜遮蔽紫外线吸收波段的效应降低，使胶带降黏效果大幅提升，使挑拣率为100％。

优选的，所述研制的吸收波长为265nm～410nm光起始剂混合液，使PO薄膜遮蔽紫外线吸收波段的效应降低，使胶带降黏效果大幅提升，使挑拣率为100％。

优选的，所述抗静电剂是添加在塑料之中或涂敷于模塑制品的表面，以达到减少静电积累目的的一类添加剂，通常根据使用方法的不同,抗静电剂可分为内加型和外涂型两大类，用于塑料的主要是内加型抗静电剂，UV減粘膜采用有机金属抗静电剂。

优选的，所述生产配方为以下步骤：