[发明专利]一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路

权利要求书

1.一种用于BUCK变换器可消除直流误差的电流采样电路，其特征在于：包括BUCK变换器电路（1），电流偏置电路（2），电流采样电路（3），直流误差消除电路（4），所述BUCK变换器电路（1）与外接直流电源Vin相连，并同时与所述电流采样电路（3）相连；所述电流偏置电路（2）与所述电流采样电路（3）相连；所述电流采样电路（3）与所述直流误差消除电路（4）相连；所述直流误差消除电路（4）与所述电流偏置电路（2）相连；

所述BUCK变换器电路（1）包括电感L1，电阻R1，电解电容C1，型号为FSJ260D的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q1、Q2；所述电阻R1的一端与地GND相连，另一端与所述电解电容C1的正极端相连；所述电解电容C1的负极端与地GND相连；所述电感L1的一端与所述电解电容C1的正极端相连，另一端与所述场效应晶体管Q2的漏极相连，并与SW接口相连；所述场效应晶体管Q2的源极与地GND相连，栅极与所述场效应晶体管Q1的栅极相连，并与MS接口相连；所述场效应晶体管Q1的源极与所述场效应晶体管Q2的漏极相连，漏极与外部直流电源相连；

所述电流偏置电路（2）包括型号为74LS04的四输入与非门芯片U1A，型号为2SK2097的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q3，型号为FQP9N50的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q6、Q8，型号为TN0635的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q7、Q9，型号为IRFF9210的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q4、Q5，型号为2SK2870的N沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q10，型号为M33417的P沟道增强型金属-氧化物半导体场效应晶体管Q11、Q12，型号为104的瓷片电容C2、C3；所述与非门芯片U1A的1端口与接口相连，2端口与所述场效应晶体管Q3的栅极相连，并与接口相连；所述场效应晶体管Q3的源极与外部直流电源VCC相连，漏极与所述场效应晶体管Q6的漏极相连；所述场效应晶体管Q6的源极与外部直流电源VCC相连，栅极与漏极相连，并与所述场效应晶体管Q8的栅极相连；所述场效应晶体管Q8的源极与外部直流电源VCC相连，漏极与所述场效应晶体管Q9的源极相连；所述场效应晶体管Q7的源极与所述场效应晶体管Q6的漏极相连，栅极与漏极相连，并与所述场效应晶体管Q9的栅极相连，与所述场效应晶体管Q4的漏极相连；所述场效应晶体管Q9的漏极与所述场效应晶体管Q10的漏极相连，并与Port3接口相连；所述场效应晶体管Q4的栅极与Port1接口相连，源极与所述场效应晶体管Q5的漏极相连；所述场效应晶体管Q10的栅极与Port3接口相连，源极与Port4接口相连；所述场效应晶体管Q5的栅极与Port2接口相连，源极与地GND相连；所述场效应晶体管Q11的栅极与接口，漏极与Port4接口相连，源极与地GND相连；所述场效应晶体管Q12的漏极、栅极与Port4接口相连，源极与地GND相连；所述瓷片电容C2的一端与Port4相连，另一端与地GND相连；所述瓷片电容C3的一端与Port3相连，另一端与地GND相连。