[发明专利]金属互连线的形成方法有效
| 申请号： | 201910215754.1 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN109935549B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 郭安乾;殷之平;刘峻 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/764 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;高德志 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 形成 方法 | ||
1.一种金属互连线的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成碳层或碳氢材料层；
采用各向异性干法刻蚀工艺刻蚀所述碳层或碳氢材料层，在所述碳层或碳氢材料层中形成若干凹槽，以使得形成的凹槽具有平坦侧壁表面；
在所述若干凹槽中填充金属，形成若干金属互连线，所述金属互连线具有平坦的侧壁表面；
采用氧化工艺去除相邻若干金属互连线之间的碳层或碳氢材料层，在相邻金属互连线之间形成空气隙，所述氧化工艺后，在所述金属互连线表面形成金属氧化物层，所述金属氧化物层厚度均匀；
对所述金属氧化物层进行还原处理；
形成覆盖所述金属互连层表面的介质层，所述介质层封闭空气隙的开口。
2.如权利要求1所述的金属互连线的形成方法，其特征在于，所述氧化工艺采用含氧等离子体。
3.如权利要求1所述的金属互连线的形成方法，其特征在于，所述还原处理为：将所述金属互连线表面的金属氧化物层还原，重新形成金属层。
4.如权利要求1所述的金属互连线的形成方法，其特征在于，所述还原处理采用含氢等离子体。
5.如权利要求1所述的金属互连线的形成方法，其特征在于，在进行还原处理后，还包括：进行清洗。
6.如权利要求1所述的金属互连线的形成方法，其特征在于，所述金属互连线的形成过程为：在所述碳层或碳氢材料层表面上形成金属材料层，且所述金属材料层填充满凹槽。
7.如权利要求6所述的金属互连线的形成方法，其特征在于：在所述金属材料层填充满凹槽之后，平坦化所述金属材料层，以碳层或碳氢材料层作为停止层，在凹槽中形成金属互连线。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
