[发明专利]暖机方法和基片的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201910216389.6 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN111725044B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 张君 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方法 刻蚀 | ||
1.一种暖机方法，用于使腔室达到工艺所需的工作状态，其特征在于，所述暖机方法包括：
步骤S1：对光胶片进行第一刻蚀，以将生成的聚合物覆盖在暴露于所述腔室内的工艺环境中的部件表面；
步骤S2：对所述光胶片进行第二刻蚀，用于在暴露于所述腔室内的工艺环境中的石英盖表面增加所述聚合物；
所述步骤S2采用的腔室压力大于所述步骤S1采用的腔室压力；
其中，所述步骤S1采用的激励功率的取值范围为1000W～1200W，所述步骤S1采用的所述腔室压力的取值范围为3mT～50mT；所述步骤S2采用的所述腔室压力的取值范围为50mT～100mT，第一刻蚀和第二刻蚀的工艺气体为BCl3。
2.根据权利要求1所述的暖机方法，其特征在于，交替进行所述步骤S1和S2至少两次。
3.根据权利要求1所述的暖机方法，其特征在于，所述步骤S2采用的工艺气体的流量大于所述步骤S1采用的工艺气体的流量。
4.根据权利要求3所述的暖机方法，其特征在于，所述步骤S1采用的所述工艺气体的流量的取值范围为100sccm～200sccm；所述步骤S2采用的所述工艺气体的流量的取值范围为200sccm～300sccm。
5.根据权利要求1所述的暖机方法，其特征在于，所述步骤S1包括多个子步骤，在每个所述子步骤中，分别对所述光胶片进行预设时长的所述第一刻蚀。
6.根据权利要求5所述的暖机方法，其特征在于，后一个所述子步骤采用的腔室压力小于前一个所述子步骤采用的腔室压力。
7.根据权利要求6所述的暖机方法，其特征在于，后一个所述子步骤采用的工艺气体的流量小于前一个所述子步骤采用的工艺气体的流量。
8.根据权利要求7所述的暖机方法，其特征在于，后一个所述子步骤的工艺时间大于前一个所述子步骤的工艺时间。
9.一种基片的刻蚀方法，其特征在于，包括：
采用权利要求1～8任一项所述的暖机方法使腔室达到所述工艺所需的工作状态；
将基片置于达到所述工艺所需的工作状态的所述腔室中，并对所述基片进行刻蚀。
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