[发明专利]薄膜发光材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910216525.1 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN110016342A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 年洪恩;李翔;任秀峰;曾金波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院青海盐湖研究所 |
| 主分类号： | C09K11/78 | 分类号： | C09K11/78 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 陈琳琳;李彪 |
| 地址： | 810008*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜发光材料 制备 掺杂金属离子 薄膜材料 发光性能 结晶度 凝胶法 硼酸钇 简易 改进 | ||
1.一种薄膜发光材料，其特征在于，所述薄膜发光材料的组成为Y1-xTbxBO3、Y1-xCexBO3、Y0.90-xLixBO3-δ:Tb0.10或Y0.90-2xLixMgxBO3-δ:Ce0.10，
当薄膜发光材料组成为Y1-xTbxBO3或Y1-xCexBO3时，x取值范围为0.05-0.15；
当薄膜发光材料组成为Y0.90-xLixBO3-δ:Tb0.10时，x取值范围为0.01-0.05，δ取值范围为0或1；
当薄膜发光材料组成为Y0.90-2xLixMgxBO3-δ:Ce0.10时，x取值范围为0.05-0.15，δ取值范围为0或1；
且所述薄膜发光材料中含有纳米晶，纳米晶的尺寸为60-400nm，空隙占比为5-15％,表面粗糙度为5-40nm。
2.如权利要求1所述的薄膜发光材料，其特征在于：当薄膜发光材料组成为Y1-xTbxBO3时，所述纳米晶的尺寸为100-200nm，表面粗糙度为16-20nm。
3.如权利要求1所述的薄膜发光材料，其特征在于：当薄膜发光材料组成为Y0.90-2xLixMgxBO3-δ:Ce0.10时，所述纳米晶的尺寸为200-300nm，表面粗糙度为6-10nm。
4.如权利要求1所述的薄膜发光材料，其特征在于：当薄膜发光材料组成为Y0.90-xLixBO3-δ:Tb0.10时，所述纳米晶的尺寸为200-300nm，表面粗糙度为20-30nm。
5.如权利要求1所述的薄膜发光材料，其特征在于：当薄膜发光材料组成为Y1-xCexBO3时，所述纳米晶的尺寸为100-200nm，表面粗糙度为20-30nm。
6.权利要求1-5任一所述的薄膜发光材料的制备方法，包括：
1)提供制备薄膜发光材料的原料的醇溶液；
2)步骤1)得到的混合物中加入交联剂和螯合剂；
3)步骤2)得到的混合物反应3～5h后静置24～48h；
4)对基底进行镀膜，镀膜速率为0.88～1.52mm/s；
5)镀膜后进行煅烧；
6)重复步骤4)和步骤5)5-10次后，退火。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述煅烧温度为400-600摄氏度。
8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述煅烧温度为800-1000摄氏度。
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