[发明专利]一种自适应差值电流模的控制电路及其控制方法

权利要求书

1.一种自适应差值电流模的控制电路，其特征在于，包括第一电感、电容、第一～第三电阻、高端功率PMOS管、低端功率NMOS管、自适应误差放大器、电流采样电路、迟滞比较器、PWM控制逻辑电路、功率管Driver电路；所述电流采样电路包括第一电流采样电路和第二电流采样电路，所述第一电流采样电路为高端功率PMOS管导通期间电流采样电路，所述第二电流采样电路为低端功率NMOS管导通期间电流采样电路，所述第一电流采样电路包括第一运算放大器；所述第二电流采样电路包括第二运算放大器；

所述电容与第三电阻并联后一端接地，另外一端为电路的输出端；第一电阻的一端分别与电路的输出端、高端功率PMOS管的漏极连接，另外一端分别与第二电阻的一端、自适应误差放大器的反相输入端连接；第二电阻的另外一端接地，所述自适应误差放大器的输出端连接迟滞比较器的反相输入端，所述迟滞比较器的同相输入端连接第一运算放大器的输出端和第二运算放大器的输出端；所述第一运算放大器的反相输入端连接低端功率NMOS管的漏极，同相输入端连接高端功率PMOS管的漏极；所述第二运算放大器的同相输入端连接低端功率NMOS管的漏极，反相输入端连接低端功率NMOS管的源极；所述低端功率NMOS管的源极接地，漏极分别与高端功率PMOS管的源极、第一电感的一端连接；所述迟滞比较器的输出端与PWM控制逻辑电路的输入端连接；PWM控制逻辑电路的输出端与功率管Driver电路的输入端连接，功率管Driver电路的输出端分别连接低端功率NMOS管的栅极和低端功率NMOS管的栅极；

所述自适应误差放大器包括：第一～第八增强型PMOS管、第四电阻、第一～第六增强型NMOS管、第三运算放大器、直流电源；

所述第一增强型PMOS管的栅极与漏极短接，并连接第二增强型PMOS管的栅极，所述第一增强型PMOS管的漏极连接第一增强型NMOS管的漏极；第一增强型NMOS管的源极接第二增强型NMOS管的漏极，第二增强型NMOS管的源极接地，所述第一增强型NMOS管的栅极连接第三运算放大器的输出端，所述第三运算放大器的反相输入端分别连接第二增强型NMOS管的栅极、第三增强型PMOS管的漏极和第三增强型NMOS管的漏极；所述第三运算放大器的同相输入端连接第三增强型NMOS管的栅极和第四增强型NMOS管的栅极；所述第四增强型NMOS管的栅极和第三增强型NMOS管的栅极均连接偏置电压；所述第三增强型PMOS管的栅极为该自适应误差放大器的同相输入端；所述第三增强型PMOS管源极连接第四电阻的一端和第二增强型PMOS管的漏极；所述第四电阻的另外一端连接第四增强型PMOS管的源极和第五增强型NMOS管的漏极；所述第四增强型PMOS管的漏极连接第五增强型NMOS管的栅极和第四增强型NMOS管的漏极；所述第五增强型NMOS管的栅极连接第六增强型NMOS管的栅极，所述第六增强型NMOS管的漏极为自适应误差放大器输出端，并连接第八增强型PMOS管的漏极和第七增强型PMOS管的栅极；所述第七增强型PMOS管的源极连接第六增强型PMOS管的漏极和第八增强型PMOS管的栅极；所述第六增强型PMOS管的栅极连接第五增强型PMOS管的栅极，所述第五增强型PMOS管的漏极与栅极短接，并与直流源的负极连接；所述第一增强型PMOS管的源极、第二增强型PMOS管的源极、第五增强型PMOS管的源极、第六增强型PMOS管的源极、第八增强型PMOS管的源极均与电源电压VDD连接；所述第三增强型NMOS管的源极、第四增强型NMOS管的源极、第五增强型NMOS管的源极、直流源的正极、第七增强型PMOS管的漏极、第六增强型PMOS管的源极接地。

2.根据权利要求1所述的一种自适应差值电流模的控制电路，其特征在于，所述第一电流采样电路还包括第九增强型PMOS管、第五电阻；所述第九增强型PMOS管的源极与低端功率NMOS管的漏极连接、漏极与第一运算放大器的反相输入端和第五电阻的一端连接，栅极与高端功率PMOS管的栅极连接，所述第五电阻的另一端与第一运算放大器的同相输入端连接。