[发明专利]一种星载微波成像仪天线在轨发射率的定标方法及装置在审
申请号: | 201910217430.1 | 申请日: | 2019-03-21 |
公开(公告)号: | CN110174652A | 公开(公告)日: | 2019-08-27 |
发明(设计)人: | 谢鑫新;孟婉婷;李雪;李恩晨;王平凯;董克松 | 申请(专利权)人: | 上海航天测控通信研究所 |
主分类号: | G01S7/40 | 分类号: | G01S7/40;G01S13/89 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 200080 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 天线 发射率 辐射量 微波成像仪 观测 定标 观测区域 微波成像 升降轨 时间段 星载 辐射传输模型 技术特点 温度计算 | ||
1.一种星载微波成像仪天线在轨发射率的定标方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:获取所述微波成像仪的一观测区域在一观测时间段的观测辐射量,同时,根据辐射传输模型计算得到所述微波成像仪的所述观测区域在所述观测时间段的模拟辐射量;
S2:根据所述观测辐射量和所述模拟辐射量,分别计算得到所述微波成像仪升轨情况下的升轨单偏差值和降轨情况下的降轨单偏差值;
S3:根据所述升轨单偏差值和所述降轨单偏差值,计算得到升降轨双偏差值;
S4:根据在升轨和降轨情况下所述天线的物理温度计算所述天线的物理温度差值,并根据所述升降轨双偏差值和所述物理温度差值,计算得到天线在轨发射率,以实现对所述微波成像仪天线在轨发射率的定标。
2.根据权利要求1所述的星载微波成像仪天线在轨发射率的定标方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述模拟辐射量和所述观测辐射量的获取过程具体包括以下步骤:
根据辐射传输模型计算得到所述的星载微波成像仪的所述观测区域在所述观测时间段的所述模拟辐射量TB;
接收所述观测区域在所述观测时间段的辐射量真值,得到辐射接收值;
测定热源亮温TH和冷源亮温TC,并根据所述热源亮温TH和冷源亮温TC,计算得到所述观测辐射量TO:
TO=G(TH-TC)+TC
式中,G为根据所述辐射接收值计算的系统参数。
3.根据权利要求1或2所述的星载微波成像仪天线在轨发射率的定标方法,其特征在于,所述步骤S4具体包括以下步骤:
根据在升轨和降轨情况下所述天线的物理温度计算所述物理温度差值其中,为升轨情况下的所述天线的物理温度,为降轨情况下的所述天线的物理温度;
根据所述和所述升降轨双偏差值计算得到天线在轨发射率ε,以实现对所述微波成像仪天线在轨发射率的定标:
式中,为升轨和降轨两种情况对应的所述模拟辐射量的差值。
4.根据权利要求3所述的星载微波成像仪天线在轨发射率的定标方法,其特征在于,所述步骤S2具体包括以下步骤:
根据所述观测辐射量和所述模拟辐射量,分别计算得到所述升轨单偏差值和所述降轨单偏差值
式中,为升轨情况下的所述观测辐射量,为降轨情况下的所述观测辐射量,为升轨情况下的所述模拟辐射量,为降轨情况下的所述模拟辐射量。
5.根据权利要求4所述的星载微波成像仪天线在轨发射率的定标方法,其特征在于,所述步骤S3具体包括以下步骤:
根据所述升轨单偏差值和所述降轨单偏差值计算得到所述升降轨双偏差值
6.一种星载微波成像仪天线在轨发射率的标定装置,其特征在于,包括:
在轨观测辐射量模块,被配置为获取所述微波成像仪的一观测区域在一观测时间段的观测辐射量;
辐射模型模拟辐射量模块,被配置为根据辐射传输模型计算得到所述微波成像仪的所述观测区域在所述观测时间段的模拟辐射量;
单偏差处理模块,被配置为根据所述观测辐射量和所述模拟辐射量,分别计算得到所述微波成像仪升轨情况下的升轨单偏差值和降轨情况下的降轨单偏差值;
升降轨双偏差处理模块,被配置为根据所述升轨单偏差值和所述降轨单偏差值,计算得到升降轨双偏差值;
天线在轨发射率计算模块,被配置为根据在升轨和降轨情况下所述天线的物理温度计算所述天线的物理温度差值,并根据所述升降轨双偏差值和所述物理温度差值,计算得到天线在轨发射率,以实现对所述微波成像仪天线在轨发射率的定标。
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