[发明专利]具有嵌入式边界环的耦合谐振器滤波器在审
申请号: | 201910217433.5 | 申请日: | 2019-03-21 |
公开(公告)号: | CN110324019A | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 苏珊·克罗伊策 | 申请(专利权)人: | QORVO美国公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王红艳 |
地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 边界环 谐振器 压电层 滤波器 耦合谐振器 第二电极 第一电极 嵌入式 中间层 谐振器耦合 寄生模式 声学方式 | ||
1.一种耦合谐振器滤波器(CRF),包括:
·第一谐振器,所述第一谐振器包括第一压电层和与所述第一压电层接触的第一电极;
·第二谐振器,所述第二谐振器包括第二压电层和与所述第二压电层接触的第二电极;
·一个或多个中间层,所述中间层在所述第一谐振器与所述第二谐振器之间,所述一个或多个中间层以声学方式将所述第一谐振器与所述第二谐振器耦合;
·第一边界环,所述第一边界环位于所述第一电极上;以及
·第二边界环,所述第二边界环位于所述第二电极上。
2.如权利要求1所述的CRF,其中所述第一谐振器和所述第二谐振器是体声波(BAW)谐振器。
3.如权利要求2所述的CRF,其中所述第一电极形成所述CRF的顶部表面。
4.如权利要求3所述的CRF,其中所述第二压电层位于所述第二电极与所述第一谐振器之间。
5.如权利要求4所述的CRF,还包括位于所述第二谐振器与所述CRF的底部表面之间的一个或多个附加中间层。
6.如权利要求3所述的CRF,其中所述第二电极位于所述第二压电层与所述第一谐振器之间。
7.如权利要求1所述的CRF,还包括位于所述第一压电层上的第一附加电极,使得所述第一压电层位于所述第一电极与所述第一附加电极之间。
8.如权利要求7所述的CRF,还包括在所述第二压电层上的第二附加电极,使得所述第二压电层位于所述第二电极与所述第二附加电极之间。
9.如权利要求1所述的CRF,其中所述第二压电层位于所述第二电极与所述第一谐振器之间。
10.如权利要求1所述的CRF,其中所述第二电极位于所述第二压电层与所述第一谐振器之间。
11.如权利要求1所述的CRF,其中所述第一边界环沿着所述CRF的有效区域的外侧边缘设置。
12.如权利要求11所述的CRF,其中所述第二边界环沿着所述CRF的所述有效区域的外侧边缘设置。
13.一种耦合谐振器滤波器(CRF),包括:
·第一谐振器,所述第一谐振器包括第一压电层和与所述第一压电层接触的第一电极;
·第二谐振器,所述第二谐振器包括第二压电层和与所述第二压电层接触的第二电极;
·一个或多个中间层,所述一个或多个中间层位于所述第一谐振器与所述第二谐振器之间,所述一个或多个中间层以声学方式将所述第一谐振器与所述第二谐振器耦合;
·第一边界环,所述第一边界环位于所述第一电极上;以及
·第二边界环,所述第二边界环位于所述一个或多个中间层中的第一个上。
14.如权利要求13所述的CRF,其中所述第一谐振器和所述第二谐振器是体声波(BAW)谐振器。
15.如权利要求14所述的CRF,其中所述第一电极形成所述CRF的顶部表面。
16.如权利要求15所述的CRF,其中所述一个或多个中间层中的至少一个位于所述一个或多个中间层中的第一个与所述第一谐振器之间。
17.如权利要求13所述的CRF,还包括位于所述第二谐振器与所述CRF的底部表面之间的一个或多个附加中间层。
18.如权利要求13所述的CRF,其中所述一个或多个中间层中的第一个是金属层。
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