[发明专利]一种用于MOCVD的基片以及在基片上生长缓冲层的方法

权利要求书

1.一种用于MOCVD的基片，其特征在于，基片上表面包括中心区域和边缘区域，所述边缘区域环绕所述中心区域，其中中心区域由单晶结构的氧化铝构成，且表面光滑，边缘区域表面粗糙，使得所述基片被送入MOCVD反应腔时，在中心区域生长出单晶结构的缓冲层，边缘区域生长多晶的缓冲层。

2.根据权利要求1所述的基片，其特征在于，所述基片边缘区域的宽度小于4mm。

3.根据权利要求1所述的基片，其特征在于，所述中心区域的表面粗糙度小于1nm，所述边缘区域的表面粗糙度大于等于5nm。

4.一种用于MOCVD的基片，其特征在于，基片上表面包括中心区域和边缘区域，所述边缘区域环绕所述中心区域，所述基片边缘包括一台阶部，所述台阶部的上表面高度低于所述中心区域的上表面高度，一个辅助环设置在所述台阶部上，所述辅助环的上表面具有与中心区域不同的粗糙度或者材料。

5.根据权利要求4所述的基片，其特征在于，所述辅助环上表面的粗糙度大于中心区域的粗糙度。

6.根据权利要求4所述的基片，其特征在于，所述辅助环由碳化硅制成。

7.一种MOCVD处理器，其特征在于，所述处理器中包括基片托盘，基片托盘下方设置有加热器，基片托盘上方具有一反应气体进气装置向下方通入多种反应气体，所述基片托盘上设置有权利要求1或4所述的基片，所述反应气体进气装置向所述基片通入反应气体后形成缓冲层，其中基片中心区域生长的缓冲层为单晶结构，基片边缘区域生长的缓冲层为多晶结构。

8.一种在基片上生长缓冲层的方法，包括：

提供一初始基片，所述基片具有单晶氧化铝晶体结构，表面光滑；

所述初始基片进行预处理，生成第一厚度的第一缓冲层；

对所述沉积有第一缓冲层的基片进行处理，使得基片边缘区域的第一缓冲层具有高于基片中心区域的粗糙度；

在所述处理后的基片上再次进行缓冲层沉积，生成第二厚度的第二缓冲层，第二厚度大于所述第一厚度；

其中基片中心区域的第二缓冲层为单晶结构，基片边缘区域的第二缓冲层为多晶结构。

9.一种在基片上生长缓冲层的方法，包括：

提供一初始基片，所述基片具有单晶氧化铝晶体结构，表面光滑；

所述初始基片进行第一MOCVD沉积工艺，生成第一厚度的第一缓冲层，其中第一缓冲层包括边缘区域和中心区域，边缘区域的粗糙度大于中心区域；

对所述生长有第一缓冲层的基片进行第二MOCVD沉积工艺，使得基片上生成第二厚度的第二缓冲层，其中第二厚度大于第一厚度。

10.根据权利要求8或9所述的在基片上生长缓冲层的方法，其特征在于，所述缓冲层由氮化铝构成。

11.如权利要求8或9所述的在基片上生长缓冲层的方法，其特征在于，所述边缘区域粗糙度大于5nm，中心区域粗糙度小于1nm。

12.根据权利要求9所述的在基片上生长缓冲层的方法，其特征在于，所述第一MOCVD沉积工艺中，控制MOCVD中的边缘区域加热器的加热功率或者可移动环的位置使得基片边缘区域的温度与基片中心区域温度具有第一温度差值，在第二MOCVD沉积工艺中基片边缘区域与基片中心区域的第二温度差小于所述第一温度差值。