[发明专利]一种介质滤波器、制备介质滤波器的方法及通信设备在审
申请号: | 201910218477.X | 申请日: | 2019-03-21 |
公开(公告)号: | CN111384529A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 吴亚晖;钟志波;袁亮亮;陆正武;陈薛爱 | 申请(专利权)人: | 深圳市大富科技股份有限公司 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20;H01P11/00;C04B35/453;C04B35/14;C04B35/622 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 518104 广东省深圳市宝安区沙井街道蚝乡路沙井*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 介质 滤波器 制备 方法 通信 设备 | ||
1.一种介质滤波器,其特征在于,所述介质滤波器包括:
至少两层介质块,彼此间隔设置,并分别包括顺次级联的至少两个介质谐振单元;
第一介质耦合件,设置于所述两层介质块之间,并用于对所述两层介质块在空间上相邻设置的两个介质谐振单元之间进行耦合,以形成主耦合路径;
第二介质耦合件,设置于所述两层介质块之间,并用于对所述两层介质块在空间上相邻设置但沿所述主耦合路径非相邻设置的两个介质谐振单元之间进行耦合,且所述第二介质耦合件对所述两层介质块的由所述第一介质耦合件所耦合的两个介质谐振单元以外的其他两个介质谐振单元进行耦合,以形成CQ交叉耦合路径;其中,所述至少两层介质块、所述第一介质耦合件以及所述第二介质耦合件一体烧结成型,所述介质滤波器的材料至少包括氧化锌、二氧化硅和氧化镁。
2.根据权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于,所述氧化锌所占摩尔百分比为20%~70%,所述二氧化硅所占摩尔百分比为20%~60%,所述氧化镁所占摩尔百分比为10%~20%。
3.根据权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于,所述第一介质耦合件对分别位于所述两层介质块端部的两个介质谐振单元进行耦合;
所述介质滤波器进一步包括输入端子和输出端子,所述输入端子和输出端子分别设置于位于所述主耦合路径端部的两个介质谐振单元上。
4.根据权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于,所述两层介质块内的介质谐振单元分别沿所述介质块的长度方向顺次级联设置,且所述两层介质块垂直于所述长度方向彼此间隔设置。
5.根据权利要求4所述的介质滤波器,其特征在于,所述两层介质块沿所述长度方向上的尺寸一致,并且所述两层介质块沿所述长度方向间隔设置的两个端面分别共面设置。
6.根据权利要求4所述的介质滤波器,其特征在于,所述两层介质块上的所述介质谐振单元的数量相同,且两两相邻设置。
7.根据权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于,所述第一介质耦合件和所述第二介质耦合件分别设置于所述两层介质块之间的间隙内;
所述介质滤波器进一步包括涂覆于所述两层介质块、所述第一介质耦合件以及所述第二介质耦合件外表面的电磁屏蔽层,所述两层介质块、所述第一介质耦合件以及所述第二介质耦合件由同一种介质材料一体烧结成型。
8.根据权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于,所述介质滤波器的材料进一步包括改性添加剂,所述改性添加剂所占摩尔百分比为0%~2%,所述改性添加剂为CoO、NiO或MnO2中的一个或多个的组合;
所述介质滤波器的材料的化学组成为xZnO-ySiO-zMgO2-dMO,其中x、y、z和d的比例为0.2~0.7:0.2~0.6:0.1~0.2:0~0.02,MO表示所述改性添加剂,所述介质滤波器的材料的介电常数为7~8。
9.一种制备介质滤波器方法,其特征在于,所述制备方法用于制备如权利要求1-8任意一项所述的介质滤波器,所述方法包括:
提供对应氧化锌、二氧化硅和氧化镁的原材料;
添加有机溶剂和磨球并进行一次球磨;
将所述一次球磨得到的料浆烘干,并通过煅烧得到陶瓷体;
粉碎所述陶瓷体,添加有机溶剂和磨球并进行二次球磨;
将所述二次球磨得到的料浆烘干;
将得到的粉体与粘结剂混合成浆料进行造粒;
在与所述介质滤波器的形状匹配的模具中干压成型;以及
去除粘结剂并再次烧结,以得到一体烧结成型的至少两个介质块、第一介质耦合件以及第二介质耦合件;
在所述至少两个介质块、所述第一介质耦合件以及所述第二介质耦合件的外表面涂覆电磁屏蔽层,以得到所述介质滤波器。
10.一种通信设备,其特征在于,所述通信设备包括权利要求1-8任一项所述的介质滤波器及天线,所述介质滤波器与所述天线耦接,所述介质滤波器用于对所述天线的收发信号进行过滤。
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