[发明专利]一种硅化程度对硅结合重金属离子强度影响的模拟方法

权利要求书

1.一种硅化程度对硅结合重金属离子强度影响的模拟方法，其特征在于，包括：

a构建初始模型，

利用Materials Studio 2017R2软件中的Sketch工具构建硅酸分子、二氧化硅表面、重金属离子、水分子和抗衡离子，改变二氧化硅和硅酸的摩尔比以模拟不同的硅化程度，并对各个分子进行电荷分配和初步优化；

利用Amorphous Cell Construction工具和Build Layers工具构建固液界面模型，并随机向水盒子中加入重金属离子，以及电荷量与重金属离子相等的抗衡离子，以保持体系的电中性；将优化后的硅酸-重金属离子水盒子对称的放于二氧化硅界面处；

b计算平衡构型，

利用Forcite模块对步骤a的模型进行分子力学优化，再对优化后的模型进行分子动力学模拟，获得平衡构型；

c综合分析，

根据步骤b中得到的平衡构型的轨迹文件，利用Forcite模块中的Analysis工具分析硅酸分子的硅和重金属离子的径向分布函数、重金属离子在二氧化硅表面的均方位移和各组分在二氧化硅表面的浓度分布参数，具体展开分析硅化程度对硅结合重金属离子的影响。

2.根据权利要求1所述的硅化程度对硅结合重金属离子强度影响的模拟方法，其特征在于，所述重金属离子为二价重金属阳离子。

3.根据权利要求2所述的硅化程度对硅结合重金属离子强度影响的模拟方法，其特征在于，所述二价重金属阳离子为镉离子。

4.根据权利要求1所述的硅化程度对硅结合重金属离子强度影响的模拟方法，其特征在于，所述抗衡离子为负一价卤素阴离子。

5.根据权利要求4所述的硅化程度对硅结合重金属离子强度影响的模拟方法，其特征在于，所述负一价卤素阴离子为氯离子。