[发明专利]闪存数据写入方法及计算机可读取存储介质

说明书

本发明提出一种闪存的数据写入方法，由处理单元执行，包含：在执行一部分的逻辑‑物理对照表更新或垃圾回收程序前，判断递交队列中是否存在需要立即处理的主机写指令；以及当存在需要立即处理的该主机写指令时，先以一个批次执行该主机写指令，接着再执行该部分的逻辑‑物理对照表更新或垃圾回收程序。

技术领域

本发明涉及存储装置，尤指一种闪存的数据写入方法及计算机可读取存储介质。

背景技术

闪存通常分为NOR闪存与NAND闪存。NOR闪存为随机存取装置，主装置(Host)可在地址引脚上提供任何存取NOR闪存的地址，并及时地从NOR闪存的数据引脚上获得存储在该地址上的数据。相反地，NAND闪存并非随机存取，而是序列存取。NAND闪存无法像NOR闪存一样，可以存取任何随机地址，主装置反而需要写入序列的字节(Bytes)的值到NAND闪存中，用以定义请求命令(Command)的类型(如，读取、写入、抹除等)，以及用在此命令上的地址。地址可指向一个页面(闪存中写入操作的最小数据块)或一个区块(闪存中抹除操作的最小数据块)。

数据写入的延迟时间(Latency)是服务质量(Quality of Service QoS)的重要测项之一。此测试可先用4K的数据随机写入存储单元数小时，让存储单元处于脏乱模式(Dirty Mode)，再用QD1/QD128的指令深度随机写入4K的数据180秒，并测量延迟时间。由于存储单元处于脏乱模式时，NAND闪存还需要安排时间写入静态随机存取存储器或动态随机存取存储器中的更新后逻辑-物理对照表(Host-Flash H2F Table)至存储单元，用以减少突然断电(Sudden Power Off SPO)后执行突然断电恢复(SPO Recovery SPOR)的时间。此外，NAND闪存于脏乱模式时还需要安排时间执行垃圾回收(Garbage Collection GC)操作，避免存储单元因空间不足而无法写入用户数据。本发明提出一种闪存的数据写入方法及计算器程序产品，用于当存储单元处于脏乱模式时还可以满足延迟时间的测项要求。

发明内容

有鉴于此，如何减轻或消除上述相关领域的缺失，实为有待解决的问题。

本发明提出一种闪存的数据写入方法，该方法由处理单元在加载并执行软件或固件模块的程序码时实施，包含：在执行一部分的逻辑-物理对照表更新或垃圾回收程序前，判断递交队列中是否存在需要立即处理的主机写指令；以及当存在需要立即处理的该主机写指令时，先以一个批次执行该主机写指令，接着再执行该部分的逻辑-物理对照表更新或垃圾回收程序。

本发明另提出一种闪存数据写入的计算机可读取存储介质，用于存储能够被处理单元执行的计算机程序，该计算机程序被该处理单元执行时实现以下步骤：在执行一部分的逻辑-物理对照表更新或垃圾回收程序前，判断递交队列中是否存在需要立即处理的主机写指令；以及当存在需要立即处理的该主机写指令时，先以一个批次执行该主机写指令，接着再执行该部分的逻辑-物理对照表更新或垃圾回收程序。

上述实施例的优点之一，通过如上所述的判断，可避免因逻辑-物理对照表更新或垃圾回收程序的执行而造成递交队列中的部分主机写指令的等待时间过长。

本发明的其他优点将配合以下的说明和附图进行更详细的解说。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。

图1为依据本发明实施例的闪存存储器的系统架构示意图。

图2为闪存接口与LUN的连接示意图。

图3为指令队列的示意图。

图4为闪存转换层(Flash Translation Layer FTL)架构的示意图。

图5为一些实施方式的数据写入方法的流程图。