[发明专利]SiC基板的研磨方法

说明书

本发明提供一种新的SiC基板的研磨方法，能够同时实现高的研磨效率和充分的平坦性。该SiC基板的研磨方法是使含有磨粒的研磨垫与SiC基板接触而对SiC基板进行研磨的方法，其中，该SiC基板的研磨方法包括下述工序：第1研磨工序，一边向SiC基板与研磨垫接触的区域供给酸性研磨液一边对SiC基板进行研磨；以及第2研磨工序，在第1研磨工序之后，在停止供给酸性研磨液的状态下，一边向该区域仅供给水一边对SiC基板进行研磨。

技术领域

本发明涉及SiC基板的研磨方法。

背景技术

在逆变器等电力电子设备中安装有适于进行电力控制的被称为电力器件的半导体元件。电力器件例如使用由单晶SiC(碳化硅)形成的基板(下文中称为SiC基板)来制造，与单晶Si(硅)等相比，该单晶SiC(碳化硅)在高耐压化、低损失化方面有利。

在使用SiC基板制造电力器件时，首先利用CMP(化学机械研磨)等方法对该SiC基板的表面进行研磨，将其充分平坦化。近年来，为了提高对SiC基板进行研磨时的效率(研磨效率)，提出了使用含有磨粒的研磨垫和具有氧化力的研磨液的研磨技术(例如，参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-68390号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在使用含有磨粒的研磨垫和具有氧化力的研磨液的上述研磨技术中，不一定能够实现适于制造电力器件的SiC基板的平坦性。因此，需要一种新的SiC基板的研磨方法，能够同时实现高的研磨效率和充分的平坦性。

本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供一种新的SiC基板的研磨方法，能够同时实现高的研磨效率和充分的平坦性。

用于解决课题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种SiC基板的研磨方法，其是使含有磨粒的研磨垫与SiC基板接触而对该SiC基板进行研磨的方法，其中，该SiC基板的研磨方法包括下述工序：第1研磨工序，一边向该SiC基板与该研磨垫接触的区域供给酸性研磨液一边对该SiC基板进行研磨；以及第2研磨工序，在该第1研磨工序之后，在停止供给该酸性研磨液的状态下，一边向该区域仅供给水一边对该SiC基板进行研磨。

发明效果

本发明的一个方式的SiC基板的研磨方法包括下述工序：一边供给酸性研磨液一边对SiC基板进行研磨的第1研磨工序；以及其后在停止供给酸性研磨液的状态下，一边仅供给水一边对该SiC基板进行研磨的第2研磨工序。在第1研磨工序中一边供给酸性研磨液一边对SiC基板进行研磨，因而在该酸性研磨液的作用下SiC基板发生变质，能够实现高的研磨效率。

另外，在第1研磨工序后的第2研磨工序中不供给酸性研磨液而仅供给水，因而能够抑制SiC基板的变质、实现充分的平坦性。这样，利用本发明的一个方式的SiC基板的研磨方法，能够同时实现高的研磨效率和充分的平坦性。

附图说明

图1是示出SiC基板等的构成例的立体图。

图2是示意性示出对SiC基板进行研磨的状态的截面图。

具体实施方式

参照附图对本发明的一个方式的实施方式进行说明。图1是示出利用本实施方式进行研磨的SiC基板11等的构成例的立体图。如图1所示，SiC基板11是由单晶SiC(碳化硅)构成的圆盘状的晶片，其具有大致平坦且相互平行的第1面11a和第2面11b。