[发明专利]磁阻效应器件有效

专利信息
申请号: 201910221333.X 申请日: 2019-03-22
公开(公告)号: CN110299447B 公开(公告)日: 2023-09-12
发明(设计)人: 牧野健三 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: H10N50/10 分类号: H10N50/10;H10N50/01;G11C11/15
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁阻 效应 器件
【权利要求书】:

1.一种磁阻效应器件,其包括磁阻效应元件和偏置磁场发生部,所述磁阻效应器件的特征在于:

所述磁阻效应元件包括自由层,该自由层具有因被施加的磁场而方向能够改变的磁化,

所述偏置磁场发生部包括产生能够对所述自由层施加的偏置磁场的铁磁性层,

所述自由层具有位于第一方向的两端的第一面和第二面以及连接所述第一面与所述第二面的外周面,

所述第一面具有在与所述第一方向正交的第二方向上较长的形状,

所述铁磁性层包括一个或两个主要部分、第一侧方部分和第二侧方部分,

在通过所述第一面的重心且与所述第一方向和所述第二方向平行的第一截面中,所述一个或两个主要部分位于所述第二方向的所述自由层的一侧或两侧,

在通过所述第一面的重心且与所述第二方向垂直的第二截面中,所述第一侧方部分和所述第二侧方部分位于与所述第一方向以及所述第二方向垂直的第三方向的所述自由层的两侧,

在所述第二截面中,所述自由层的所述外周面与所述第一侧方部分之间的最短距离、和所述自由层的所述外周面与所述第二侧方部分之间的最短距离为35nm以下,

所述偏置磁场的方向为所述第二方向或者相对于所述第二方向成锐角。

2.根据权利要求1所述的磁阻效应器件,其特征在于:

在与所述自由层交叉且与所述第二方向垂直的任意截面中,所述自由层的所述外周面与所述第一侧方部分之间的最短距离、和所述自由层的所述外周面与所述第二侧方部分之间的最短距离为35nm以下。

3.根据权利要求1所述的磁阻效应器件,其特征在于:

在所述第二截面中,所述自由层的所述外周面与所述第一侧方部分之间的最短距离、和所述自由层的所述外周面与所述第二侧方部分之间的最短距离为20nm以下。

4.根据权利要求1所述的磁阻效应器件,其特征在于:

所述磁阻效应元件还包括:具有规定方向的磁化的磁化固定层;和配置于所述磁化固定层与所述自由层之间的间隔层,

所述磁化固定层、所述间隔层和所述自由层在所述第一方向上层叠。

5.根据权利要求1所述的磁阻效应器件,其特征在于:

还包括将所述自由层与所述铁磁性层隔开的非磁性膜。

6.根据权利要求5所述的磁阻效应器件,其特征在于:

在所述第二截面中,所述自由层的所述外周面与所述第一侧方部分之间的最短距离、和所述自由层的所述外周面与所述第二侧方部分之间的最短距离在1~20nm的范围内。

7.根据权利要求1所述的磁阻效应器件,其特征在于:

所述一个或两个主要部分为两个主要部分,

在从所述自由层的所述第一面向所述第二面的方向上看时,所述两个主要部分、所述第一侧方部分和所述第二侧方部分包围所述自由层的整个外周。

8.一种磁阻效应器件,其包括磁阻效应元件和偏置磁场发生部,所述磁阻效应器件的特征在于:

所述磁阻效应元件包括自由层,该自由层具有因被施加的磁场而方向能够改变的磁化,

所述偏置磁场发生部包括产生能够对所述自由层施加的偏置磁场的铁磁性层,

所述自由层具有位于第一方向的两端的第一面和第二面以及连接所述第一面与所述第二面的外周面,

所述第一面具有在与所述第一方向正交的第二方向上较长的形状,

所述铁磁性层包括一个或两个主要部分、第一侧方部分和第二侧方部分,

在通过所述第一面的重心且与所述第一方向和所述第二方向平行的第一截面中,所述一个或两个主要部分位于所述第二方向的所述自由层的一侧或两侧,

在通过所述第一面的重心且与所述第二方向垂直的第二截面中,所述第一侧方部分和所述第二侧方部分位于与所述第一方向以及所述第二方向垂直的第三方向的所述自由层的两侧,

在所述第二截面中,所述自由层的所述外周面与所述第一侧方部分之间的最短距离、和所述自由层的所述外周面与所述第二侧方部分之间的最短距离为35nm以下,

所述偏置磁场发生部还包括与所述铁磁性层进行交换耦合的反铁磁性层。

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