[发明专利]一种含增益辅助的硅双线系统有效
| 申请号： | 201910221469.0 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN109917512B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 史丽娜;陈生琼;谢常青;牛洁斌;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增益 辅助 双线 系统 | ||
1.一种含增益辅助的硅双线系统，其特征在于，包括：
二氧化硅衬底层；
在所述二氧化硅衬底层上端面按照预设排布周期设置有硅双线组；
在所述二氧化硅和所述硅双线组的表面覆盖有嵌入了增益材料的二氧化硅增益层。
2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述硅双线组为两根单晶硅线平行设置。
3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于，所述硅双线组对应参数与发射谱，反射谱以及近场要求相对应，其中，
所述硅双线组参数包括单晶硅线高度、单晶硅线线宽、两单晶硅线之间间距。
4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述单晶硅线的高度范围为30nm-400nm。
5.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述单晶硅线的线宽范围为30nm-400nm。
6.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述两单晶硅线之间间距范围为30nm-400nm。
7.根据权利要求1-6任一所述的系统，其特征在于，所述预设排布周期A范围为0umA≤6um。
8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述嵌入了增益材料的二氧化硅层对应参数与发射谱，反射谱要求相对应，其中，
所述嵌入了增益材料的二氧化硅层对应参数包括厚度、增益材料种类。
9.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述嵌入了增益材料的二氧化硅层的厚度范围为30nm-400nm。
10.根据权利要求8所述的系统，其特征在于，所述增益材料种类包括量子点、染料分子、稀土离子。
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