[发明专利]激光产生等离子体EUV光源中的源材料输送的设备和方法在审
申请号: | 201910221590.3 | 申请日: | 2014-11-06 |
公开(公告)号: | CN110062515A | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | D·R·埃文斯;M·R·格拉哈姆;A·I·厄肖夫 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | H05G2/00 | 分类号: | H05G2/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 源材料 气体罩 激光产生等离子体 等离子体 辐照 流动 光学器件 横流 发热 横穿 积聚 平行 变形 污染 | ||
1.一种装置,包括:
室,在内部具有辐照区域;
EUV光学器件,具有中央孔径;
第一气体输送系统,与所述室的内部流体连通并且适于引起气体穿过所述中央孔径并朝向流流动;
源材料输送系统,具有在所述室内的源材料释放点并且适于将源材料的流沿着所述源材料释放点与所述辐照区域之间的路径输送至所述辐照区域,所述源材料输送系统包括固体罩,所述固体罩从所述源材料释放点开始并且平行于所述路径延伸至固体罩端部以保护所述流的至少一部分;和
第二气体输送系统,与所述室的所述内部流体连通并且适于引起气体在所述室中沿着所述路径的至少一部分流动。
2.如权利要求1所述的装置,进一步包括第一气体输送线,所述第一气体输送线邻近所述EUV光学器件的面临所述辐照区域的基本径向对称的表面布置,并且在基本平行于所述路径的方向上基本径向地延伸所述EUV光学器件中的中央孔径与所述EUV光学器件的外周缘之间的距离的至少一部分,用于使气体在径向线上沿着远离所述EUV光学器件表面的方向排出。
3.一种方法,包括如下步骤:
将源材料的流沿着室中的源材料释放点与所述室中的辐照区域之间的路径导向;和
使气体在所述室中沿着所述路径的至少一部分形成流。
4.如权利要求3所述的方法,其中所述源材料输送系统包括固体罩,所述固体罩从所述源材料释放点开始并且平行于所述路径延伸至固体罩端部以保护所述流的至少一部分,并且其中所述形成流步骤包括使气体沿着所述路径的在所述固体罩端部与所述辐照区域之间的至少一部分形成流。
5.如权利要求4所述的方法,进一步包括辐照所述源材料引起等离子体泡形成的步骤,并且其中所述形成流步骤包括引起气体以足够大使得所述等离子体泡被迫使远离所述固体罩端部的流量流动。
6.如权利要求4所述的方法,其中形成流步骤包括引起气体在所述室中沿着所述路径的在所述固体罩内侧且离开所述固体罩端部朝向所述辐照区域的至少一部分流动。
7.如权利要求4所述的方法,其中所述固体罩具有平行于所述路径的长度,并且其中所述形成流步骤包括引起气体在所述室中在所述固体罩的外侧并且平行于所述固体罩的所述长度并朝向所述辐照区域流动。
8.如权利要求3所述的方法,进一步包括引起气体从EUV光学器件的方向开始并朝向所述路径流动的与所述形成流步骤并行的步骤。
9.如权利要求8所述的方法,其中所述形成流步骤包括使气体以足够大的流量形成流使得从EUV光学器件的方向开始并朝向所述路径的气体的流动不防止所述源材料通过所述辐照区域。
10.如权利要求8所述的方法,进一步包括引起气体沿着气体输送线的长度流动到所述室内,所述气体输送线邻近所述EUV光学器件的面临辐照区域的基本径向对称的表面布置并且基本径向地延伸所述EUV光学器件中的中央孔径与所述EUV光学器件的外周缘之间的距离的至少一部分。
11.一种装置,包括:
室;
源材料输送系统,具有源材料释放点并且适于将源材料的流沿着所述源材料释放点与所述室内的辐照区域之间的路径输送至所述辐照区域;以及
第一气体输送系统,适于引起气体在所述室中沿着所述路径的至少一部分流动。
12.如权利要求11所述的装置,其中所述源材料输送系统包括固体罩,所述固体罩从所述源材料释放点开始并且平行于所述路径延伸至固体罩端部,以保护所述流的至少一部分,并且其中所述第一气体输送系统适于引起气体沿着所述固体罩端部与所述辐照区域之间的所述路径的至少一部分流动。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910221590.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:静电消除装置
- 下一篇:一种微波等离子体高温热处理丝状材料的装置