[发明专利]碳化硅半导体构件

权利要求书

1.半导体构件，该半导体构件具有：

SiC半导体本体（100），在所述SiC半导体本体中构造有第一导电型的漂移区（131）和半导体区域（120、140）；

栅结构（150）；以及

屏障结构（180），所述屏障结构从所述半导体区域（120、140）延伸到所述漂移区（131）中，其中所述屏障结构（180）和所述栅结构（150）不同。

2.根据权利要求1所述的半导体构件，其中

所述栅结构（150）从所述SiC半导体本体（100）的第一表面（101）开始延伸到所述SiC半导体本体（100）中，

在所述漂移区（131）和所述第一表面（101）之间构造有第二导电型的区域（120），

所述半导体区域（120、140）包括所述第二导电型的区域（120），并且

在所述屏障结构（180）的下棱边和所述第一表面（101）之间的第一距离（t1）大于在所述栅结构（150）的下棱边和所述第一表面（101）之间的第二距离（t2）。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的半导体构件，其中

在所述屏障结构（180）的下棱边和所述第一表面（101）之间的第一距离（t1）大于在所述第一表面（101）和pn结（pn）之间的第三距离（t3），所述pn-结构造在所述第一表面（101）和所述漂移区（131）之间并且与所述第一表面（101）间隔最远。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体构件，其中在所述SiC半导体本体（100）中构造有第一导电型的、并且具有比所述漂移区（131）更高的掺杂的区域（140），

其中所述半导体区域（120、140）包括所述第一导电型的区域（140），并且所述屏障结构（180）的至少一部分从所述第一导电型的区域（140）开始延伸到所述漂移区（131）中。

5.根据权利要求4所述的半导体构件，其中

在所述漂移区（131）的与所述栅结构（150）相对而置的侧面上的、所述第一导电型的区域（140）与所述漂移区（131）相邻接。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体构件，其中所述半导体区域（120、140）具有至少一个到所述漂移区（131）的pn结（pn）。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体构件，其中所述半导体区域（120、140）具有到所述漂移区（131）的至少一个单极的结（jn）。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体构件，其中

在相邻的屏障结构（180）之间的横向距离（d1）以及所述屏障结构（180）在所述漂移区（131）中的垂直范围（v1）这样地确定尺寸，以使得所述SiC半导体本体的至少90%的下述的主晶格面（401）在所述漂移区（131）中与所述屏障结构（180）中的一个屏障结构相邻接，所述主晶格面在两个屏障结构（180）之间的区域中以最大10°的角度（α）斜向穿过构造在所述漂移区（131）和所述半导体区域（120、140）之间的结（pn、jn）。

9.根据权利要求8所述的半导体构件，其中

所述SiC半导体本体（100）的多型体是4H-SiC多型体，并且所述主晶格面（401）是（0001）晶格面，所述主晶格面以至少2°并且最高8°的角度（α）斜向穿过所述结（pn、jn）。

10.根据权利要求8至9中任一项所述的半导体构件，其中

所述屏障结构（180）具有横向范围（w1）并且垂直于所述横向范围（w1）具有纵向范围（l1），所述纵向范围是所述横向范围（w1）的至少五倍，其中所述纵向范围（l1）平行于在所述主晶格面（401）和所述结（pn、jn）之间的交线延伸。