[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体衬底，其具有设置有器件的单元区域、以及在所述单元区域的周围设置的末端区域；

第1绝缘膜，其在所述末端区域设置于所述半导体衬底之上，具有多个开口；

多个金属电极，它们设置于所述末端区域，经由所述多个开口与所述半导体衬底连接；以及

第2绝缘膜，其覆盖所述第1绝缘膜及所述多个金属电极，与所述第1绝缘膜相比吸湿率低，

在从所述多个金属电极中的最外周的电极至所述半导体衬底的端部为止的区域，所述第2绝缘膜在所述多个开口中的一者与所述半导体衬底直接接触，该接触遍及所述开口的整个宽度。

2.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体衬底，其具有设置有器件的单元区域、以及在所述单元区域的周围设置的末端区域；

第1绝缘膜，其在所述末端区域设置于所述半导体衬底之上，具有多个开口；

多个金属电极，它们设置于所述末端区域，经由所述多个开口与所述半导体衬底连接；以及

第2绝缘膜，其设置于与所述多个金属电极中的至少最外周的电极对应的所述开口的侧壁，与所述第1绝缘膜相比吸湿率低。

3.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体衬底，其具有设置有器件的单元区域、以及在所述单元区域的周围设置的末端区域；

第1绝缘膜，其在所述末端区域设置于所述半导体衬底之上，具有多个开口；

多个金属电极，它们设置于所述末端区域，经由所述多个开口与所述半导体衬底连接；

第2绝缘膜，其覆盖所述第1绝缘膜及所述多个金属电极，与所述第1绝缘膜相比吸湿率低；以及

第3绝缘膜，其与所述第1绝缘膜相比吸湿率高，

所述第3绝缘膜具有第1部分和第2部分，该第1部分设置于所述第2绝缘膜之上，该第2部分设置于从所述多个金属电极中的最外周的电极至所述半导体衬底的端部为止的区域，与所述第1部分分离，不经由所述第2绝缘膜而直接与所述第1绝缘膜接触。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述末端区域，在所述半导体衬底的表面设置有p型保护环层，与所述p型保护环层相比在外侧，在所述半导体衬底的表面设置有n型沟道截断层，

所述多个金属电极具有：保护环电极，其与所述p型保护环层连接；以及沟道截断电极，其为所述最外周的电极，与所述n型沟道截断层连接。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体衬底由宽带隙半导体形成。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体衬底由宽带隙半导体形成。