[发明专利]一种快速物理气相沉积生长二维纳米结构的方法在审
| 申请号： | 201910222857.0 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN109881150A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 刘金养;柳梦宇;杨顺航;朱星星;周钰涵;梁翊纯;黄志高;赖发春 | 申请（专利权）人： | 福建师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/22 |
| 代理公司： | 福州君诚知识产权代理有限公司 35211 | 代理人： | 戴雨君 |
| 地址： | 350108 福建省福州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生长 反应原料 二维纳米结构 加热中心 快速物理 气相沉积 石英舟 大规模工业化生产 精确调控 升温过程 梯度分布 制备过程 质量损失 管式炉 纳米片 生长源 石英管 衬底 载气 加热 升华 移动 应用 优化 成功 | ||
1.一种快速物理气相沉积生长二维纳米结构的方法，其特征在于：其包括以下步骤：
（1）升温：将装载有反应原料的载体和生长衬底置于管式炉的石英管内，其中，生长衬底间隔设于载体的下游位置，然后对石英管通入载气，并在载气的气氛下将石英管升温至预设温度，石英管升温过程中，载体和生长衬底均置于管式炉外；
（2）快速升温生长：石英管升温至预设温度后，再往石英管中通入反应气体，然后将装载有反应原料的载体和生长衬底移至管式炉的加热区，并保持管式炉温度恒定，令反应原料在反应气体的氛围下发生反应并使生成物形成气相后，在生长衬底上沉积生长形成二维纳米结构；
（3）降温：反应完成后，打开管式炉并进行降温处理，期间保持反应气体流量不变，待管式炉的石英管降至室温后，即可获得二维纳米结构。
2.根据权利要求1所述的一种快速物理气相沉积生长二维纳米结构的方法，其特征在于：步骤（1）中所述的反应原料为GeSe粉末。
3.根据权利要求1所述的一种快速物理气相沉积生长二维纳米结构的方法，其特征在于：步骤（1）中所述的载体为石英舟。
4.根据权利要求1所述的一种快速物理气相沉积生长二维纳米结构的方法，其特征在于：步骤（1）中所述的载气为氩气。
5. 根据权利要求1所述的一种快速物理气相沉积生长二维纳米结构的方法，其特征在于：步骤（1）中生长衬底间隔设于载体的下游位置，其间隔距离为14～20 cm。
6. 根据权利要求1所述的一种快速物理气相沉积生长二维纳米结构的方法，其特征在于：步骤（1）中所述的预设温度为550 ℃。
7.根据权利要求1所述的一种快速物理气相沉积生长二维纳米结构的方法，其特征在于：步骤（1）中所述的生长衬底为云母片或碳化硅片。
8.根据权利要求1所述的一种快速物理气相沉积生长二维纳米结构的方法，其特征在于：步骤（2）中所述的反应气体为氢气。
9.根据权利要求1所述的一种快速物理气相沉积生长二维纳米结构的方法，其特征在于：步骤（2）中石英管升温至预设温度后，将装载有反应原料的载体和生长衬底移至管式炉的加热区中心。
10. 根据权利要求1所述的一种快速物理气相沉积生长二维纳米结构的方法，其特征在于：步骤（2）中反应原料在反应气体的氛围下发生反应的时长为3 min。
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