[发明专利]一种N型晶体硅片的硼扩散方法、晶体硅太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将硼扩散前硅片预氧化处理，以在硅片表面形成氧化层保护层；

(2)将预氧化处理后的硅片放入扩散炉内进行硼沉积。

2.如权利要求1所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于：所述预氧化处理采用硝酸或臭氧进行氧化。

3.如权利要求2所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于，所述预氧化处理的方法为：将硼扩散前硅片浸入到体积浓度为10％-50％的硝酸中，氧化处理20s-200s。

4.如权利要求2所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于，所述预氧化处理的方法为：将硼扩散前硅片放置在臭氧环境中，氧化处理5-20s，臭氧气体流量为10-50L/min。

5.如权利要求1所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于：所述硼沉积的方法为：将预氧化处理后的硅片放入扩散炉内，升温至预定沉积温度，先进行氧化处理，再通入含有硼源的反应气体进行沉积，沉积温度为900-980℃，沉积时间为5-35min。

6.如权利要求5所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于：所述氧化处理为：通入氧气，流量为1slm-10slm，氧化1-3min，所述含有硼源的反应气体中，硼源为三溴化硼，其流量为200-1500sccm，载气为氧气，流量为100sccm-800sccm。

7.如权利要求1所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于，还包括步骤(3)：将硼沉积后的硅片在氮气中进行推进扩散，所述氮气的气体流量为5～10slm，扩散时间为10min-45min。

8.如权利要求7所述的N型晶体硅片的硼扩散方法，其特征在于，还包括步骤(4)：将步骤(3)处理后的硅片降温至待机温度，所述待机温度为750-850℃。

9.一种N型晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征在于：包括权利要求1至8中任一项所述的硼扩散方法。

10.一种N型晶体硅太阳能电池，其特征在于，采用权利要求9所述的制作方法制作而成。