[发明专利]半导体集成电路及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201910223030.1 申请日: 2015-03-13
公开(公告)号: CN110033794B 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 小山秀穗;黑泽稔;板垣吉弥 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G11B5/55 分类号: G11B5/55;H02P6/182;H02P6/17;H02P25/034
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 集成电路 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种半导体集成电路,其被用以安装在用于驱动电动机以移动硬盘驱动单元的磁头的电动机驱动控制器中,

所述半导体集成电路被操作用于:在用于所述电动机的速度检测的校准操作中使实质上不是零电流的非零电流流过所述电动机,以及使安装所述磁头的支臂成为固定状态,

其中,所述半导体集成电路包括:

电动机驱动器电路,所述电动机驱动器电路被操作用于驱动所述电动机;

反电动势检测器电路,所述反电动势检测器电路被操作用于检测在所述电动机中产生的反电动势;以及

调节单元,所述调节单元被操作用于调节所述反电动势检测器电路的内部放大器的增益,

其中,在进行所述校准操作时,响应于所述电动机驱动器电路使所述非零电流流过所述电动机,来从所述反电动势检测器电路产生反电动势检测信号,

其中,在通过所述校准操作使所述支臂是固定状态并且使实质上具有零电流值的零电流流过所述电动机的状态下,所述半导体集成电路产生与从所述反电动势检测器电路产生的所述反电动势检测信号对应的比较基准值,

其中,在进行所述校准操作时,响应于流过所述电动机的所述非零电流,所述半导体集成电路将从所述反电动势检测器电路产生的所述反电动势检测信号设置为第一值和第二值,

其中,在进行所述校准操作时,所述半导体集成电路从作为所述第一值的所述反电动势检测信号和作为所述第二值的所述反电动势检测信号,来计算所述比较基准值,

其中,所述半导体集成电路的所述调节单元通过所述校准操作来调节所述反电动势检测器电路的所述内部放大器的增益,并且反映出被调节的增益的所述反电动势检测器电路产生所述反电动势检测信号作为比较输入值,以及

其中,所述半导体集成电路的所述调节单元通过所述校准操作来调节所述反电动势检测器电路的所述内部放大器的增益,以便减小所述比较输入值和所述比较基准值之差。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路,

其中,在进行所述校准操作时,通过将流过所述电动机的所述非零电流分别设置为第一电流值和第二电流值,所述半导体集成电路将从所述反电动势检测器电路产生的所述反电动势检测信号分别设置为所述第一值和所述第二值。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路,

其中,所述反电动势检测器电路包括作为内部放大器的:

前级反相放大器;以及

后级减法放大器,

其中,所述反电动势检测器电路的所述前级反相放大器和所述后级减法放大器放大所述电动机的端子间电压和与所述电动机串联耦合的电流感测电阻器的端子间电压,并且从所述反电动势检测器电路产生所述反电动势检测信号,以及

其中,在进行所述校准操作时,所述半导体集成电路将所述后级减法放大器的减法增益值分别设置为第一减法增益值和第二减法增益值,并且将从所述反电动势检测器电路产生的所述反电动势检测信号分别设置为所述第一值和所述第二值。

4.根据权利要求1所述的半导体集成电路,

其中,从所述反电动势检测器电路产生作为模拟反电动势检测信号的所述反电动势检测信号,以及

其中,所述模拟反电动势检测信号的最大值被控制成比所述半导体集成电路的操作电源电压低的可容许最大电压,并且所述模拟反电动势检测信号的最小值被控制成比所述半导体集成电路的接地电压高的可容许最小电压。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路,还包括:

数模转换器;以及

模数转换器,

其中,所述数模转换器的输出端子被耦合到所述电动机驱动器电路的输入端子,以及

其中,由所述反电动势检测器电路产生的作为所述反电动势检测信号的所述模拟反电动势检测信号被供应到所述模数转换器的输入端子,并且从所述模数转换器的输出端子产生数字反电动势检测信号。

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