[发明专利]一种电镀子母槽装置在审
申请号: | 201910224311.9 | 申请日: | 2019-03-22 |
公开(公告)号: | CN109989096A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 邓高荣 | 申请(专利权)人: | 广州明毅电子机械有限公司 |
主分类号: | C25D17/02 | 分类号: | C25D17/02;C25D21/12;C25D21/02;C25D21/06 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 周克佑 |
地址: | 511325 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 子槽 母槽 电镀槽 电镀 出水管 子母槽 药水 半导体制造工艺 温度控制单元 喷管 温控单元 槽循环 进水口 药水槽 溢流口 晶元 口流 液位 涌流 监控 管理 | ||
本发明公开了一种电镀子母槽装置,涉及一种用于晶元半导体制造工艺的电镀槽,包括作为电镀槽的子槽和作为管理药水槽的母槽,其特征在于:所述的子槽设在母槽中,子槽的上部设有高度低于母槽最高液位点的溢流口、底部设有药水进水口,母槽的中间设有温控单元、底部设有出水管,出水管经泵后分为两支,一支由上部喷管喷到子槽中,另一支由下部涌流口流进子槽。本发明减低了设备高度,占地面积小,药水温度控制单元直接设在电镀槽中,监控温度精确,操作简单,且无需单独管理槽循环泵。
技术领域
本发明涉及一种用于晶元半导体制造工艺的电镀槽,尤其是涉及一种电镀子母槽装置。
背景技术
由于铜互连技术具有成本低、工艺简单、无需真空且沉积速率快等特点,广泛用于晶元半导体制造工艺。电镀工艺是指在电镀槽中用湿法化学品和电流将靶材上的金属离子转移到硅片表面的过程。
现有的电镀槽如图7所示,药水循环采取如下的方式:电镀槽101上开有溢流口105、出水口以及药水循环进口且都通过管道回流至管理槽104。当设备停机时,药水会由于重力从药水出水口全部回流到管理槽104中;设备开机时,管理槽104的药水会通过水泵103从镀铜槽101底部通过底喷的形式喷入镀铜槽101中。当药水液面高度超过溢流口105时,会从溢流口105溢流到管理槽104,药水实现了循环往复。
现有技术存在的不足之处:此设计需要镀铜槽最底部药水高度高于管理槽最顶部药水高度,使得设备高度拉高;因存在药水会直接从底部回流到管理槽中,会造成药水未发挥电镀作用直接流走,因此每次生产需要将底部回流的球阀关闭,停止生产时需要将底部回流的球阀打开;药水温度通过管理槽内的温控单元进行管控,经过了管路的耗损,存在一定的误差,工艺制程不易管控;电镀过程槽体多,增加了占地空间,不方便操作;镀铜管理槽还需要单独配备一个泵浦用于配置药水的循环。
发明内容
本发明所要解决的技术问题,就是提供一种电镀子母槽装置,减低了设备高度,占地面积小,药水温度控制单元直接设在电镀槽中,监控温度精确,操作简单。
解决上述技术问题,本发明采用的技术方案如下:
一种电镀子母槽装置,包括作为电镀槽的子槽和作为管理药水槽的母槽,其特征在于:所述的子槽设在所述母槽中,所述的子槽的上部设有高度低于所述的母槽最高液位点的溢流口、底部设有药水进水口,所述的母槽的中间设有温控单元、底部设有出水管,所述的出水管经泵后分为两支,一支由上部喷管喷到子槽中,另一支由下部涌流口流进子槽。
进一步地,所述的子槽的底部药水进水口的结构为一个由盒体及盒盖构成的涌流盒,所述的盒盖上开有众多的涌流孔、盒体的侧面伸进一涌流管(药水进水),所述的涌流管的两侧管壁上开有水平的出水孔,涌流管两侧的底板的两边倾斜向上成V形。这样的结构为的是使涌流孔出水均匀。
进一步地,所述的子槽的上部设有所述的溢流口的结构为:所述的子槽的两侧板相比两端板矮,在两侧板的外面设有顶边开有所述的溢流口的溢流口高低调节板,其通过板面上的四个竖立的长形孔用螺栓固定在所述两侧板上。
进一步地,所述的温度控制单元包括温度传感器、冷凝管和加热元件。
进一步地,所述的母槽底部所述的出水管为环形圆管,且开有若干朝向底面的进水孔。
进一步地,所述的泵的输出管道上设有药水过滤装置。
进一步地,所述的母槽上安装有液位计。
所述的子槽个数可以为一个或多个,母槽的大小可随子槽的数量和大小随之改变。
有益效果:子槽和母槽不存在高度差,子槽放在母槽内,占地面积小,减少了管路安装;若要实现药水的循环,只需要将所有的阀门打开即可,操作简单,无需人力反复操作阀门;药水温度控制单元在母槽中,监控子槽温度精确;母槽无需单独配置一个内循环泵。
附图说明
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