[发明专利]一种高效的钙钛矿量子点阴离子交换的方法在审
申请号: | 201910225363.8 | 申请日: | 2019-03-22 |
公开(公告)号: | CN109920864A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 吕文珍;陈润锋;徐鸣川 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18;H01L33/04 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210003 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 阴离子交换 卤化物水溶液 量子点原液 透明溶液 量子点 荧光 表面活性剂 混合配制 静置反应 去离子水 上层液体 界面层 卤化物 滴加 分层 制备 量子 上层 | ||
本发明公开了一种高效的钙钛矿量子点阴离子交换的方法,包括如下步骤:(1)制备CsPbBr3钙钛矿量子点原液;(2)将CsPbBr3钙钛矿量子点原液进行纯化,得到荧光透明溶液;(3)将卤化物和去离子水混合配制卤化物水溶液,取卤化物水溶液在其上层滴加表面活性剂作为界面层,再加入步骤(2)纯化后的荧光透明溶液,形成分层,室温下静置反应,取上层液体,得到阴离子交换后的钙钛矿量子溶液。
技术领域
本发明涉及钙钛矿量子点材料的制备方法,特别涉及一种高效的钙钛矿量子点阴离子交换的方法。
背景技术
无机铯铅卤化物(CsPbX3,X=Cl,Br,I)钙钛矿纳米晶体(NCs)于其出色的光学和电子方面的特性吸引了人们的兴趣和关注,如明亮的光致发光(PL)在宽阔的可见光谱区域内发射可调谐(400-700nm),1-3个窄发射半高宽最大值(fwhm),稳定性高等等,在高性能照明和显示应用方面使它们具有广泛的应用前景。室温光致发光量子产率(PLQYs)在绿色和红色光谱范围内接近统一,但是热注入法或传统阴离子交换得到CsPbCl3钙钛矿纳米晶体的稳定性低,效率差(<10%),极大地限制其应用。
发明内容
发明目的:本发明目的是提供克服稳定性差,产率低的钙钛矿量子点阴离子交换的方法。
技术方案:本发明提供一种高效的钙钛矿量子点阴离子交换的方法,包括如下步骤:
(1)制备CsPbBr3钙钛矿量子点原液;
(2)将CsPbBr3钙钛矿量子点原液进行纯化,得到荧光透明溶液;
(3)将卤化物和去离子水混合配制卤化物水溶液,取卤化物水溶液在其上层滴加表面活性剂作为界面层,再加入步骤(2)纯化后的荧光透明溶液,形成分层,室温下静置反应,取上层液体,得到阴离子交换后的钙钛矿量子溶液。
进一步地,所述步骤(1)中采用热注入法制备CsPbBr3钙钛矿量子点原液。
进一步地,所述步骤(2)纯化的方法为将步骤(1)得到的CsPbBr3钙钛矿量子点原液离心,收集下层沉淀,将下层沉淀溶于有机溶剂中并进行超声溶解,继续离心取上层清夜即可。
进一步地,所述有机溶剂为氯仿、甲苯或正己烷。
进一步地,所述表面活性剂为油胺,氯代十二烷或苯甲酰氯。
进一步地,所述卤化物为氯化镉、氯化锌、氯化铜或碘化镉。
进一步地,所述步骤(3)中室温下静置反应10~14h。本发明合成的钙钛矿量子点的荧光发射峰位主要是通过改变两相(分散在有机溶液里的CsPbBr3钙钛矿量子点以及卤化物的水溶液)接触的时间进行调节,随着时间的增加,荧光发射峰位不断蓝移,实现可见光范围内的调谐。
上述技术方案利用两相法阴离子交换合成的CsPbCl3钙钛矿量子点,以CsPbBr3钙钛矿量子点为模板,表面阴离子交换更加明显,因而合成的钙钛矿量子点稳定性和荧光量子效率都得到了保证。
有益效果:本发明具有较好的环境稳定性、单分散性好、荧光效率高、单色性好;本发明的钙钛矿量子点可实现荧光光谱的调节,得到宽广的颜色区域;本发明合成过程不需要使用任何有毒溶剂、不需要惰性气体保护,制备方法简单;本发明可用于白光LED器件等光电功能材料领域,可直接合成高效率的CsPbCl3钙钛矿量子点(>95%);本发明合成的不同荧光颜色的CsPbBr3-xClx(x=0-3)钙钛矿量子点半峰宽在10~35nm;本发明可应用于激光器、量子点LED以及太阳能电池等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学,未经南京邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910225363.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的