[发明专利]一种无损、高精度掩模图形的分层提取方法在审
申请号: | 201910225365.7 | 申请日: | 2019-03-22 |
公开(公告)号: | CN110033441A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 张鹏;魏晓群;华卫群;丁鼎 | 申请(专利权)人: | 无锡中微掩模电子有限公司 |
主分类号: | G06T7/00 | 分类号: | G06T7/00 |
代理公司: | 连云港联创专利代理事务所(特殊普通合伙) 32330 | 代理人: | 刘刚 |
地址: | 214000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分层 灰度掩模 掩模图形 灰度 无损 版图数据 符合条件 归一化 像素点 套刻 图层 读取 层次化设计 二进制文件 灰度空间 灰阶信息 提取处理 图形处理 多层 光刻 工作量 图片 转换 清晰 制作 转化 | ||
本发明一种无损、高精度掩模图形的分层提取方法,读取灰度掩模图片时,将灰度空间设定相应的阈值GTH,将符合条件的像素点归一化灰度值为1,不符合条件的像素点归一化灰度值为0:将不同灰度的二进制文件转成GDSII版图数据格式时选择打平命令将其层次化设计的单元打平,打平后的总图包含了所有需要制作图层的同一层次上的图形。对转化成的GDSII版图数据格式进行评价,至少包含转换是否正确、图层是否清晰和是否有缺陷的评价。本发明的无损、高精度掩模图形的分层提取方法可以将含有灰阶信息的BMP图片进行分层提取处理成GDS格式图片,用于套刻;可以将多层套刻图形处理成灰度掩模图形,用于灰度掩模光刻;减少了处理工作量,提高图形质量,提高了精度。
技术领域
本发明涉及微纳光学领域,具体为一种无损、高精度掩模图形的分层提取方法。
背景技术
随着微光学器件的不断发展,微光学逐渐成为连接光学与电子学的桥梁,形成了以硅为载体的硅微电子器件,微光学与传统的微机电系统(MEMS)结合形成了应用更广泛的微光机电系统(MOMES)。其中微光学元件(MOE)是制作MOMES系统和阵列化和集成化的光学元件。MOE有着独特的色散特性、丰富的设计自由度以及较高的光学转换效率可以实现特定的光学功能。其中衍射光学元件(DOE)是主要的微光学元件如微透镜阵列,光栅阵列等。
随着微纳加工技术的不断发展,为了得到衍射效率更高的DOE器件,表面微纳机构从二台阶变为多台阶甚至近似连续分布。目前主要用于制备多台阶DOE器件的主要技术有:激光或电子束直写技术、灰度掩模技术以及二次套刻技术。
发明内容
本发明的目的在于,为了更进一步的提高衍射效率,提供一种无损、高精度掩模图形的分层提取方法。
发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种无损、高精度掩模图形的分层提取方法,包括如下步骤:
步骤一:读取灰度掩模图片的灰度阶数并二进制化;
步骤二:根据不同灰度阶数提取不同灰度阶数的二进文件;
步骤三:定义每单元像素的大小1μm×1μm;
步骤四:将不同灰度的二进制文件转成GDSII版图数据格式,定义左下角像素在GDS格式中坐标为(1,1);
读取灰度掩模图片时,将灰度空间设定相应的阈值GTH,将符合条件的像素点归一化灰度值为1,不符合条件的像素点归一化灰度值为0:
其中Thresholdx,y为二值化后图片上(x,y)像素点的归一化灰度值;在得到的灰度图像上搜索灰度值最大的像素点(X,Y),归一化灰度值为Gmax,令阈值GTH=pGmax。
进一步的,所述的步骤四中将不同灰度的二进制文件转成GDSII版图数据格式时选择打平命令将其层次化设计的单元打平,打平后的总图包含了所有需要制作图层的同一层次上的图形。
进一步的,所述的步骤四中对转化成的GDSII版图数据格式进行评价,进行行评价时,至少包含转换是否正确、图层是否清晰和是否有缺陷的评价。
发明的有益效果是:本发明的无损、高精度掩模图形的分层提取方法可以将含有灰阶信息的BMP图片进行分层提取处理成GDS格式图片,用于套刻;可以将多层套刻图形处理成灰度掩模图形,用于灰度掩模光刻;减少了处理工作量,提高图形质量,提高了精度。
附图说明
图1为本发明的无损、高精度掩模图形的分层提取方法的示意图。
具体实施方式
现在结合附图对发明作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明发明的基本结构,因此其仅显示与发明有关的构成。
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