[发明专利]喷淋头和衬底处理设备

说明书

根据本发明构思的实施例的喷淋头包括：具有多个气体供给通道的上板，具有形成在下表面中的多个供给孔和多个排气槽的下板，以及在所述上板和所述下板之间的多个分隔壁，所述多个分隔壁连接到所述多个排气槽并限定在喷淋头的侧部开口的排气通道。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年4月20日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0046148号韩国专利申请的优先权，通过引用将该申请的公开内容全部结合于此。

技术领域

本发明构思涉及喷淋头和衬底处理设备。

背景技术

一种使用等离子体处理诸如半导体晶片之类的衬底的衬底处理设备被用于半导体制造工艺中。在衬底处理设备中，可以使用等离子体执行诸如蚀刻工艺和沉积工艺的处理操作。为此，衬底处理设备可以包括用于供应工艺气体的喷淋头。在近来的半导体制造工艺中，诸如半导体晶片的衬底变得更大，并且衬底中的处理操作的工艺均匀性的重要性增加。

发明内容

本发明构思的示例实施例是要提供一种喷淋头和一种衬底处理设备，其中，处理操作中的晶片的均匀性被改善。

根据本发明构思的示例性实施例，一种喷淋头包括：上板，该上板包括多个气体供给通道；下板，该下板包括在下表面中限定或形成的多个供给孔和多个排气槽；以及在上板和下板之间的多个分隔壁，所述多个分隔壁限定在喷淋头的侧部开口的排气通道。

根据本发明构思的示例性实施例，一种喷淋头包括：上板，该上板包括多个气体供给通道；下板，该下板包括在下板的下表面中限定或形成的多个供给孔和多个排气槽；以及多个分隔壁，所述多个分隔壁位于所述上板和所述下板之间并与所述多个气体供给通道垂直对齐，所述多个分隔壁限定在喷淋头的侧部开口的排气通道；其中所述多个分隔壁可包括多个垂直供给通路，所述多个垂直供给通路流体连接到所述上板的所述多个气体供给通道和所述下板的所述多个供给孔；并且其中在所述下板的下表面上的所述多个排气槽的总面积可以大于在所述下板的下表面上的所述多个供给孔的总面积。

根据本发明构思的示例实施例，一种衬底处理设备包括：等离子体处理室；基座，该基座位于等离子体处理室中并被配置为支撑衬底；喷淋头，该喷淋头位于基座上方，并被构造成从该喷淋头的下表面供应工艺气体，并被构造成通过该喷淋头的侧部排出残余气体；以及等离子体限制部，该等离子体限制部位于基座和喷淋头之间并限定等离子体限制区域。在这种情况下，喷淋头可包括具有多个气体供给通道的上板、具有多个供给孔和多个排气槽的下板、以及在上板和下板之间的多个分隔壁，所述多个分隔壁限定在喷淋头的侧部开口并与所述多个排气槽流体连通的多个排气通道；其中所述多个分隔壁中的每一个可以包括多个垂直供给通路，所述多个垂直供给通路流体连接到上板的所述多个气体供给通道和下板的所述多个供给孔。

附图说明

根据以下结合附图的详细描述，本公开的上述和其它的方面、特征以及优势将被更清楚地理解，在附图中：

图1是示意性地示出根据本发明构思的示例性实施例的衬底处理设备的视图；

图2是示出根据本发明构思的示例性实施例的喷淋头的透视图；

图3和图4是示出图2的喷淋头的一部分的透视图；

图5是沿图4的线II-II′截取的截面图；

图6是示出根据本发明构思的示例性实施例的喷淋头的下表面的视图；

图7是示出可安装在根据本发明构思的示例性实施例的喷淋头上的挡板的视图；

图8是示出根据本发明构思的示例性实施例的喷淋头的透视图；

图9和图10是示出图8的喷淋头的一部分的透视图；