[发明专利]一种基于氧化钨的P型场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910225445.2 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN109950321B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 谢伟广;余冰;罗志;卢月恒;赖浩杰;陈科球 | 申请（专利权）人： | 暨南大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈燕娴 |
| 地址： | 510632 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化钨 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于氧化钨的P型场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
提供固态电解质片作为衬底；
在所述衬底一表面上沉积暴露出沟道区域的绝缘薄膜；
在所述绝缘薄膜上以及所述沟道区域沉积三氧化钨有源层；
在所述有源层上蒸镀源、漏电极；
在所述衬底的另一表面沉积栅电极；
所述沟道区域的宽度小于100μm；
将固态电解质片作为栅介质，由于电解质极强的长程离子-电子耦合特性，当栅电极远离沟道区域时，仍能够对沟道的导电性产生极强的调控作用。
2.根据权利要求1的所述制备方法，其特征在于：所述固态电解质片为锂离子陶瓷。
3.根据权利要求1或2的所述制备方法，其特征在于：所述绝缘薄膜的厚度为10～50nm，所述绝缘薄膜是Al2O3、SiO2、Si3N4、HfO2或ZrO2。
4.根据权利要求3的所述制备方法，其特征在于：所述三氧化钨有源层为非晶态薄膜，所述三氧化钨有源层的厚度为100-400nm。
5.根据权利要求4的所述制备方法，其特征在于：所述三氧化钨有源层的厚度为300nm。
6.根据权利要求3的所述制备方法，其特征在于：所述源、漏电极以及栅电极是Au、Ag、Cu中的至少一种。
7.根据权利要求4的所述制备方法，其特征在于，所述三氧化钨有源层的沉积包括，以纯度高于99.9％的三氧化钨纳米粉末为原材料，调整真空蒸镀腔室的压强为4×10-4～5×10-4Pa、蒸发舟的温度为约1000℃时，真空蒸镀三氧化钨。
8.一种基于氧化钨的P型场效应晶体管，其特征在于，其包括：位于固态电解质片一表面的绝缘薄膜，所述绝缘薄膜中设置有条形沟道区域，位于所述绝缘薄膜上以及所述沟道区域的三氧化钨有源层，位于所述三氧化钨有源层上的源漏电极，以及位于所述固态电解质片另一表面的栅电极；
所述沟道区域的宽度小于100μm；
将固态电解质片作为栅介质，由于电解质极强的长程离子-电子耦合特性，当栅电极远离沟道区域时，仍能够对沟道的导电性产生极强的调控作用。
9.根据权利要求8的所述场效应晶体管，其特征在于，所述三氧化钨有源层为非晶态薄膜，所述三氧化钨有源层的厚度为100-400nm，所述绝缘薄膜的厚度为10～50nm，所述绝缘薄膜的材料为Al2O3、SiO2、Si3N4、HfO2或ZrO2。
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