[发明专利]一种无线充电用纳米晶导磁薄片及其制备方法

说明书

本发明属于无线充电材料领域，公开了一种无线充电用纳米晶导磁薄片及其制备方法。将氧化物绝缘材料均匀分散于有机溶剂中，得到涂敷液，然后均匀涂敷于纳米晶带材的表面；将涂敷处理后的纳米晶带材进行磁场热处理，然后在纳米晶带材表面覆保护膜；将覆保护膜的纳米晶带材进行纵向辊剪处理，得到具有均匀纵向条状纹路割裂的无线充电用纳米晶导磁薄片。本发明的制备方法只需对纳米晶带材进行纵向辊剪处理，配合预涂敷一层氧化物绝缘层以获得较高磁导率的同时实现更低的磁损特性，无需进行横向剪切或多次碾压碎化，显著提高生产效率，提高磁片性能一致性和稳定性。

技术领域

本发明属于无线充电材料领域，具体涉及一种无线充电用纳米晶导磁薄片及其制备方法。

背景技术

目前，越来越多的便携式电子设备的充电技术逐步向无线充电迈进，无线充电技术飞速发展，以电磁感应方式充电为最普遍。随着电磁感应式无线充电方案的成熟化，越来越多的无线充电模组使用Fe基非晶、纳米晶软磁材料作为核心的导磁屏蔽材料，但普通的Fe基非晶、纳米晶软磁材料在热处理后变脆，增加了后续覆膜工艺的难度，同时热处理后的带材磁导率非常高，为了获得理想的无线充电效率，需要对覆膜后的带材进行反复多次的碎化处理以达到降低磁导率的目的，这两个方面都极大的影响了无线充电用非晶、纳米晶薄片材料的生产效率及良率。

在以往公开的专利中，例如专利号为201280062847.1，磁场屏蔽片及其制造方法和无线充电器用接收装置，提到了采用层压的方法使得细片间绝缘，提高充电效率，通过单片导磁薄片上下两面施加保护膜或胶带的方式，然后进行压碎的方式制备无线充电用屏蔽片，由于热处理后的纳米晶带材本身磁导率μ’很高且磁损μ”也很高，为了降低磁损μ”获得更好的充电效率需要对纳米晶磁片进行反复多次的碾压碎化处理，从而导致该技术存在生产效率低、工序繁杂、表面质量一致性不易控制等缺点。专利2015102054640公开了一种无线充电用单/多层导磁片及其制备方法，采用浸漆固化的方法对压碎的裂纹进行了绝缘处理，虽然实现了卷材导磁片的连续化生产制备，但同样也提到了需要对薄片进行反复多次破碎处理的工艺。专利201610096632.1公开了一种非接触式充电用柔性导磁薄片及其制备方法，其同样需要通过纵向辊剪、横向辊剪或横向辊压将带材均匀破碎成具有网格状碎片结构，来减少涡流损耗带来的充电效率的损失和发热现象。

国内其他专利公开信息显示，目前，对无线充电用非晶、纳米晶导磁材料的研究，主要集中在覆膜和破碎工艺上，通过对纳米晶导磁材料的多次碎化以获得更低的磁损特性从而实现更高充电效率，但碎化过程中磁片本身的磁导率也会急剧下降，从而降低纳米晶磁片本身对磁场的吸收束缚能力，无法实现更好的磁屏蔽效果，从理论上讲不是获得更好充电效率的最佳方式，且需要反复多次辊压破碎的工艺方法也导致的生产效率低下，磁片性能一致性和稳定性较差的缺陷。

发明内容

针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本发明的首要目的在于提供一种无线充电用纳米晶导磁薄片的制备方法。

本发明的另一目的在于提供一种通过上述方法制备得到的无线充电用纳米晶导磁薄片。

本发明目的通过以下技术方案实现：

一种无线充电用纳米晶导磁薄片的制备方法，包括如下制备步骤：

(1)将氧化物绝缘材料均匀分散于有机溶剂中，得到涂敷液；

(2)将步骤(1)所得涂敷液均匀涂敷于纳米晶带材的表面；

(3)将步骤(2)涂敷处理后的纳米晶带材进行磁场热处理，然后在纳米晶带材表面覆保护膜；

(4)将步骤(3)覆保护膜的纳米晶带材进行纵向辊剪处理，得到具有均匀纵向条状纹路割裂的无线充电用纳米晶导磁薄片。

优选地，步骤(1)中所述氧化物绝缘材料选自SiO₂、MgO、Al₂O₃中的任意一种或两种以上的混合。