[发明专利]溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法

说明书

本发明涉及溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法。溅射阴极具有溅射靶，所述溅射靶具有横截面形状具有相互相对的一对长边部的管状的形状且侵蚀面朝向内侧。使用该溅射阴极，在由溅射靶包围的空间的上方，使具有宽度比溅射靶的长边部窄的成膜区域的被成膜体与溅射靶的一端面平行地且沿与长边部垂直的方向以恒定速度移动，同时进行放电使得产生沿着溅射靶的内表面环绕的等离子体，利用由溅射气体产生的等离子体中的离子使溅射靶的长边部的内表面进行溅射，从而在被成膜体的成膜区域进行成膜。

本申请是申请日为2017年1月25日、申请号为201780001627.0的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法，适合应用于利用溅射法形成薄膜的各种器件的制造。

背景技术

以往，在半导体器件、太阳能电池、液晶显示器、有机电致发光(EL)等各种器件中形成电极的工序中，电极材料的成膜中多使用真空蒸镀装置。但是，对于真空蒸镀法而言，膜厚分布的控制在空间上和时间上都具有难点，因此要求利用溅射法进行电极材料的成膜。

以往，作为溅射装置，已知平行平板磁控管式溅射装置、射频(RF)方式溅射装置、相对靶式溅射装置等。其中，在相对靶式溅射装置中，使由相同的材料制作的两个圆形或正方形或矩形的相同尺寸的靶相互平行地相对，向它们之间的空间中引入溅射气体并进行放电，由此使靶进行溅射，从而进行成膜(例如，参见非专利文献1～3)。认为该相对靶式溅射装置具有下述优点：将等离子体约束在夹在两个靶之间的空间内，能够通过不逊于磁控管式溅射装置中的等离子体约束的高真空、低电压放电来实现溅射粒子的产生，并且通过在等离子体空间中形成磁场而约束等离子体，能够防止被成膜基板的表面的中性反射工艺气体碰撞。

另一方面，已知下述溅射装置，其使用环状溅射靶，使线状或圆筒状的被成膜体沿该环状溅射靶的内部的溅射空间的轴向移动，或者在固定于轴向的状态下进行溅射，由此在被成膜体上进行成膜(参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-256698号公报

专利文献2：日本专利第5102470号公报

非专利文献

非专利文献1：J.Vac.Soc.Jpn.第44卷,第9期,2001,第808-814页

非专利文献2：东京工艺大学工学院学报第30卷第1期(2007)第51-58页

非专利文献3：ULVAC TECHNICAL JOURNAL第64期2006,第18-22页

发明内容

发明所要解决的课题

但是，上述相对靶式溅射装置中，相对的两个靶间的等离子体密度低，存在无法得到充分高的成膜速度的缺点。

另一方面，专利文献1提出的溅射装置中，存在难以在平板状的被成膜体上进行成膜的缺点。

因此，本发明所要解决的课题在于提供能够在平板状、膜状等的被成膜体上以充分高的成膜速度且低碰撞地进行成膜的溅射阴极、溅射装置和成膜体的制造方法。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，本发明为一种溅射阴极，其特征在于，具有溅射靶，所述溅射靶具有横截面形状具有相互相对的一对长边部的管状的形状且侵蚀面朝向内侧。

另外，本发明为一种溅射装置，其特征在于，

具备溅射阴极和阳极，所述溅射阴极具有溅射靶，所述溅射靶具有横截面形状具有相互相对的一对长边部的管状的形状且侵蚀面朝向内侧，所述阳极以露出上述溅射靶的侵蚀面的方式设置，