[发明专利]高频低损耗无线充电器磁片及其生产方法在审
申请号: | 201910227066.7 | 申请日: | 2019-03-25 |
公开(公告)号: | CN109961918A | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 郑光列;凌跃辉;官彤 | 申请(专利权)人: | 自贡市光大电子有限责任公司 |
主分类号: | H01F1/36 | 分类号: | H01F1/36;C04B35/26 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 643000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁片 高频低损耗 无线充电器 四氧化三锰 五氧化二钒 五氧化二铌 电气性能 四氧化锡 原料混合 原料配方 烧结 微量元素 氧化镍 氧化铁 氧化锌 氧化钴 主配方 砂磨 预烧 造粒 生产 成型 | ||
1.一种高频低损耗无线充电器磁片,其特征在于:所述磁片的生产原料包括氧化铁、四氧化三锰、氧化锌、氧化镍、氧化钴、四氧化锡、五氧化二铌、五氧化二钒。
2.根据权利要求1所述的一种高频低损耗无线充电器磁片,其特征在于:所述氧化铁的质量百分比为65-75%、四氧化三锰的质量百分比为22-24%、氧化锌的质量百分比为6-8%、氧化镍的质量百分比为1-2%、氧化钴的质量百分比为0.02-0.04%、四氧化锡的质量百分比为0.02-0.04%、五氧化二铌的质量百分比为0.01-0.03%、五氧化二钒的质量百分比为0.01-0.03%。
3.一种高频低损耗无线充电器磁片的生产方法,其特征在于包括以下步骤:
A. 原料混合;
B. 预烧;
C. 砂磨;
D. 造粒;
E. 成型;
F. 烧结。
4.根据权利要求3所述的一种高频低损耗无线充电器磁片的生产方法,其特征在于步骤A中采用强混机进行混料;先用慢速档强混4-6分钟,再用高速档强混18-22分钟。
5.根据权利要求3所述的一种高频低损耗无线充电器磁片的生产方法,其特征在于步骤B中将步骤A中混好的料粉置于窑中预烧;预烧温度包括低温1050-1070℃,高温1090-1110℃;并在空气中淬火出窑。
6.根据权利要求3所述的一种高频低损耗无线充电器磁片的生产方法,其特征在于步骤C中利用砂磨机进行砂磨;砂磨配比为预烧后的粉料:钢球:水=1:5:0.8;砂磨时间为48-52分钟;砂磨好的料浆加入质量百分比12%的胶合剂以及0.05%的正辛醇进行搅拌。
7.根据权利要求3所述的一种高频低损耗无线充电器磁片的生产方法,其特征在于步骤D中将搅拌均匀的料浆喷射至干燥塔顶;所述干燥塔温度控制在380-420℃,干燥塔出口温度保持在140-160℃。
8.根据权利要求3所述的一种高频低损耗无线充电器磁片的生产方法,其特征在于步骤E中采用压制成型;将造粒后的颗粒按质量百分比加入0.05%的硬脂酸锌搅拌均匀,然后过筛网40目待压;成型压力为20-25T。
9.根据权利要求8所述的一种高频低损耗无线充电器磁片的生产方法,其特征在于步骤E中,先利用3-5T的压力进行1-2秒的预压,然后在物料上下方向同时施加20-25T的压力并保压3-5秒。
10.根据权利要求3所述的一种高频低损耗无线充电器磁片的生产方法,其特征在于步骤F中升温曲线如下:室温-300℃时,每小时上升25℃并且在100℃、200℃、300℃各保温1小时;300-600℃时,每小时上升35℃;600℃至烧结温度时,每小时上升80℃;烧结温度保温180分钟,并在炉温将至50℃时取出磁片。
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