[发明专利]用于AlN单晶生长的复合籽晶及其制备方法有效
| 申请号： | 201910227102.X | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111733456B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 郭丽伟;胡伟杰;王文军;陈小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B23/02;C23C14/06;C23C16/26;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 aln 生长 复合 籽晶 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于AlN单晶生长的复合籽晶，包括AlN陶瓷基片、位于所述AlN陶瓷基片之上的石墨烯薄层以及位于所述石墨烯薄层之上的AlN薄膜。
2.根据权利要求1所述的用于AlN单晶生长的复合籽晶，其中，所述AlN陶瓷基片的杂质浓度低于500ppm。
3.根据权利要求1所述的用于AlN单晶生长的复合籽晶，其中，所述AlN陶瓷基片的表面粗糙度小于0.5nm。
4.根据权利要求1所述的用于AlN单晶生长的复合籽晶，其中，所述石墨烯薄层的厚度为1-10个原子层。
5.根据权利要求4所述的用于AlN单晶生长的复合籽晶，其中，所述石墨烯薄层的厚度为1-5个原子层。
6.根据权利要求1所述的用于AlN单晶生长的复合籽晶，其中，所述AlN陶瓷基片为市售的AlN陶瓷基片、或者为采用物理气相传输法或固相烧结法就地制备的AlN陶瓷基片。
7.根据权利要求1所述的用于AlN单晶生长的复合籽晶，其中，所述石墨烯薄层为市售的石墨烯薄层或采用化学气相沉积法就地在所述AlN陶瓷基片上生长的石墨烯薄层。
8.根据权利要求1所述的用于AlN单晶生长的复合籽晶，其中，所述AlN薄膜的厚度为50nm-10μm。
9.一种制备权利要求1-8中任一项所述的用于AlN单晶生长的复合籽晶的方法，包括如下步骤：
(1)在AlN陶瓷基片上形成石墨烯薄层；
(2)采用薄膜沉积技术在所述石墨烯薄层上制备AlN薄膜，得到AlN陶瓷/石墨烯/AlN薄膜复合籽晶。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述薄膜沉积技术为金属有机化学气相沉积、分子束外延、氢化物气相外延、磁控溅射沉积或激光脉冲沉积。
11.根据权利要求9所述的方法，其中，该方法还包括如下步骤：对所述AlN陶瓷/石墨烯/AlN薄膜复合籽晶在氮气气氛下进行高温退火。
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