[发明专利]一种晶圆级红外探测芯片的封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级红外探测芯片的封装方法，基于真空回流焊接机，所述真空回流焊接机包括上腔体和下腔体，所述上腔体与下腔体间设置有遮板，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、红外探测芯片包括感光区，环绕所述感光区设置有金属化区，在所述金属化区设置金属层；

步骤二、向所述上腔体内放入第一材料，所述第一材料包括具有金属层的红外探测芯片，所述红外探测芯片正面朝下；之后所述上腔体升温至第一温度并保温；

步骤三、向所述下腔体内放入第二材料，所述第二材料包括光学窗和吸气剂，之后所述下腔体依次对第二材料做除气处理和激活处理；

步骤四、所述遮板打开，所述真空回流焊接机升温至焊接温度并保温；焊接温度即为所述金属层的熔点；所述金属层在所述焊接温度下融化，而融化的金属层将红外探测芯片与光学窗结合在一起；

步骤五、所述真空回流焊接机停止加温，自然冷却至常温，之后取出成品。

2.如权利要求1所述的晶圆级红外探测芯片的封装方法，其特征在于，步骤一中在所述金属化区设置有金属层，具体包括：所述金属层为金属膜层，所述金属膜层通过涂布、溅镀或喷涂的方式形成。

3.如权利要求1所述的晶圆级红外探测芯片的封装方法，其特征在于，步骤一中在所述金属化区设置有金属层，具体包括：所述金属层为金属球层，所述金属球层包括多个金属球。

4.如权利要求3所述的晶圆级红外探测芯片的封装方法，其特征在于，所述金属球均匀分布在所述金属化区。

5.如权利要求1所述的晶圆级红外探测芯片的封装方法，其特征在于，在步骤二中，所述上腔体升温至第一温度并保温，第一温度的范围为120-200℃，保温时间为6-72hr。

6.如权利要求1所述的晶圆级红外探测芯片的封装方法，其特征在于，在步骤三中，所述下腔体依次对第二材料做除气处理和激活处理，其中，所述除气处理的温度为120-200℃，所述除气处理的时间为3-12hr；所述激活处理的温度为300-450℃，所述激活处理的时间为5-90min。

7.如权利要求1所述的晶圆级红外探测芯片的封装方法，其特征在于，在步骤四中，所述真空回流焊接机升温至焊接温度并保温，焊接温度为180-225℃，焊接时间为5-30min。

8.如权利要求1所述的晶圆级红外探测芯片的封装方法，其特征在于，在步骤一中，所述金属层为金锡合金或铟银合金。