[发明专利]一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201910227480.8 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN109888023B | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 李民;张伟;徐苗;徐华;庞佳威;陈子楷;张艳丽 | 申请（专利权）人： | 广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 510700 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 顶栅型 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述顶栅型薄膜晶体管包括：衬底、有源层、氧化物修饰层、栅绝缘层、栅极、钝化层、源极和漏极；
所述氧化物修饰层设置于有源层与所述栅绝缘层之间；所述氧化物修饰层用于供电子调节器件的阈值电压向负向移动或供空穴调整器件的阈值电压向正向移动；所述氧化物修饰层的材料为氧化镨；所述栅绝缘层的材料为二氧化硅 。
2.根据权利要求1所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物修饰层还掺杂有稀土元素氧化物，其中的稀土元素包括钕(Nd)、铈(Ce)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、铒(Er)、镱(Yb)中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述稀土元素与所述氧化物修饰层的质量比为1％-40％。
4.根据权利要求1所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物修饰层的厚度为5nm-20nm。
5.一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成依次层叠的有源层和氧化物修饰层；所述氧化物修饰层用于供电子调节器件的阈值电压向负向移动或供空穴调整器件的阈值电压向正向移动；
在所述氧化物修饰层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成栅极；
整面覆盖钝化层；
在所述钝化层上形成源极和漏极，且所述源极及所述漏极均通过通孔与所述氧化物修饰层电连接；
所述氧化物修饰层的材料为氧化镨；所述栅绝缘层的材料为二氧化硅 。
6.根据权利要求5所述的顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在衬底上形成依次层叠的有源层和氧化物修饰层包括：
在所述衬底上沉积金属氧化物半导体层；
使用溶液旋涂法在所述金属氧化物半导体层上制备氧化物层，其中，溶液浓度范围为0.1mol/L～0.3mol/L，热处理温度范围为200℃-400℃；
同时图形化所述氧化物层和所述金属氧化物半导体层得到氧化物修饰层和有源层；
去除所述氧化物修饰层和所述有源层表面的杂质。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州新视界光电科技有限公司，未经广州新视界光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910227480.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法
- 同类专利
- 专利分类
