[发明专利]增强抵抗电磁辐射的电路

说明书

本发明提供一种增强抵抗电磁辐射的电路，其包括至少一个增强抵抗电磁辐射的电路单元，所述增强抵抗电磁辐射的电路单元包括：静电保护电路，所述静电保护电路与对应的压焊区临近设置，且所述静电保护电路连接于所述压焊区和接地端之间；开关，所述开关连接于所述压焊区和第一连接节点之间；至少一个电磁辐射分担电路，所述电磁辐射分担电路远离所述静电保护电路设置，且所述电磁辐射分担电路连接于第一连接节点和接地端之间。与现有技术相比，本发明为静电保护电路增设至少一个电磁辐射分担电路，由电磁辐射分担电路分担过多的电磁辐射信号，从而提高被干扰的芯片抵抗电磁辐射的能力。

【技术领域】

本发明涉及电路设计领域，尤其涉及一种增强抵抗电磁辐射的电路。

【背景技术】

在各种芯片设计中，随着电磁辐射环境不断恶化，需要增强电路抵抗电磁辐射的能力。常见的一种电磁辐射现象是手机辐射。当手机在拨打电话时，会产生较强的电磁场，会干扰附近的电路工作，严重时，手机的电磁辐射可能导致芯片完全失去功能。手机的电磁辐射通常在刚开始拨电话，而没有接通时，其辐射强度最强，在实验中，可以看到此时对附近芯片的干扰最强。这种电磁辐射也依赖于天线的方向和芯片的方位。虽然可以通过调整天线方向来减小电磁干扰，但是限制了手机设计，而且在实际应用中，也不能完全被控制，因为用户使用时可能是任意方向。提高被干扰的芯片抵抗电磁辐射能力很有意义。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种增强抵抗电磁辐射的电路，其可以提高被干扰的芯片抵抗电磁辐射的能力。

根据本发明的一个方面，本发明提供一种增强抵抗电磁辐射的电路，其包括至少一个增强抵抗电磁辐射的电路单元，所述增强抵抗电磁辐射的电路单元包括：静电保护电路，所述静电保护电路与对应的压焊区临近设置，且所述静电保护电路连接于所述压焊区和接地端之间；开关，所述开关连接于所述压焊区和第一连接节点之间；至少一个电磁辐射分担电路，所述电磁辐射分担电路远离所述静电保护电路设置，且所述电磁辐射分担电路连接于第一连接节点和接地端之间。

进一步的，所述静电保护电路包括第一MOS管和第一电阻，所述第一MOS管的第一连接端与所述压焊区相连，其第二连接端与接地端相连，其控制端通过第一电阻与接地端相连，其衬体端与接地端相连，所述第一MOS管与所述压焊区临近设置；所述电磁辐射分担电路包括第二MOS管和第二电阻，所述第二MOS管的第一连接端与所述第一连接节点相连，其第二连接端与接地端相连，其控制端通过第二电阻与接地端相连，其衬体端与接地端相连，所述第二MOS管远离所述第一MOS管设置。

进一步的，所述第一MOS管为NMOS晶体管，其第一连接端、第二连接端和控制端分别为NMOS晶体管的漏极、源极和栅极；所述第二MOS管为NMOS晶体管，其第一连接端、第二连接端和控制端分别为NMOS晶体管的漏极、源极和栅极。

进一步的，当电磁辐射分担电路为多个电路单元共享时，所述电磁辐射分担电路中的第二MOS管远离共享的多个电路单元中的各个第一MOS管。

进一步的，所述增强抵抗电磁辐射的电路单元还包括比较器，所述比较器的第一输入端与所述压焊区相连，其第二输入端与电磁辐射泄放电压阈值相连，其输出端与所述开关的控制端相连，当所述压焊区的电压大于所述电磁辐射泄放电压阈值时，所述比较器控制开关导通；当所述压焊区的电压小于所述电磁辐射泄放电压阈值时，所述比较器控制开关关断。

进一步的，所述电磁辐射泄放电压阈值大于等于所述压焊区的压焊区信号的最大正常工作电压；或所述电磁辐射泄放电压阈值为芯片的最高的电源电压，所述芯片为增强抵抗电磁辐射的电路所在的芯片。

进一步的，所述增强抵抗电磁辐射的电路还包括处理器，所述处理器能提前预知系统中出现的发射无线信号，并能预测系统自身产生的电磁辐射能量大于电磁辐射泄放能量阈值的时段，当到达所述时段时，所述处理器控制所述开关导通；当未到达所述时段时，所述处理器控制所述开关关断。