[发明专利]极紫外光设备及防止极紫外光光源装置被污染的方法

权利要求书

1.一种防止极紫外光光源装置被污染的方法，包括：

在一极紫外光光源装置内由一微滴产生器制造一微滴流，该微滴流包括一第一材料；

通过设置于该微滴产生器的一喷嘴周围的一气体注射管提供一第一气体屏障以及一第二气体屏障，其中该微滴流通过该气体注射管，该第一气体屏障以及该第二气体屏障包围该微滴流，该第一气体屏障在该第二气体屏障之内；以及

在提供该第一气体屏障以及该第二气体屏障的同时，发出一激光以蒸发来自该微滴流的一微滴，以制造极紫外光辐射以及该第一材料的多个第一粒子以及多个第二粒子，其中该第一材料的所述多个第一粒子通过该第一气体屏障以及该第二气体屏障被引导至一微粒捕捉器。

2.如权利要求1所述的防止极紫外光光源装置被污染的方法，其中，该第一材料是锡。

3.如权利要求1所述的防止极紫外光光源装置被污染的方法，其中，该第一材料的所述多个第一粒子以及所述多个第二粒子是该第一材料的带正电离子。

4.如权利要求3所述的防止极紫外光光源装置被污染的方法，还包括：

利用一正电压偏压该极紫外光光源装置的一收集器，以从该收集器排斥未被引导至该微粒捕捉器的该第一材料的所述多个第二粒子；以及

利用一负电压偏压该极紫外光光源装置的叶片，以吸引该第一材料的所述多个第二粒子以吸附至该叶片。

5.如权利要求1所述的防止极紫外光光源装置被污染的方法，其中，该第一气体屏障以及该第二气体屏障包括氢气、氦气、氩气、氮气、氧气、一氧化二氮、干净干空气、环境空气、或是其组合。

6.如权利要求1所述的防止极紫外光光源装置被污染的方法，还包括:

控制该第一气体屏障以及该第二气体屏障的一流量，使得在该极紫外光光源装置内维持一真空。

7.如权利要求1所述的防止极紫外光光源装置被污染的方法，还包括：

加热该气体注射管至在50℃与450℃之间的一温度。

8.如权利要求1所述的防止极紫外光光源装置被污染的方法，其中，该气体注射管的一横截面具有圆形、椭圆形、或多边形的一形状。

9.如权利要求1所述的防止极紫外光光源装置被污染的方法，其中，该气体注射管包括多重孔洞，其中，该第一气体屏障由该气体注射管的所述多重孔洞的一第一孔洞提供，且其中，该第二气体屏障由该气体注射管的所述多重孔洞的一第二孔洞提供。

10.一种防止极紫外光光源装置被污染的方法，包括：

在一极紫外光光源装置内由一微滴产生器制造的一微滴流，该微滴流包括一第一材料；

通过设置于该微滴产生器的一喷嘴周围的一气体注射管提供一第一气体屏障以及一第二气体屏障，其中该微滴流通过该气体注射管，该第一气体屏障以及该第二气体屏障包围该微滴流，该第一气体屏障在该第二气体屏障之内，其中该第一气体屏障具有一第一流量，该第二气体屏障具有与该第一流量不同的一第二流量；

在一真空排气管的一出口抽吸该第一气体屏障，该真空排气管的该出口被设置以包围一微滴捕捉器的开口；

通过一激光蒸发来自该微滴流的一微滴，以制造光以及该第一材料的复数个粒子；

将该第一材料的该复数个粒子限制在该第二气体屏障内；以及

将该第一材料的该复数个粒子导向至一微滴捕捉器。

11.如权利要求10所述的防止极紫外光光源装置被污染的方法，其中，该第一材料是锡。