[发明专利]一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201910227990.5 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN109950322B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 徐苗;李美灵;李民;张伟;王磊;邹建华;陶洪;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 顶栅型 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述顶栅型薄膜晶体管包括：衬底、氧化物修饰层、有源层、栅绝缘层、栅极、钝化层、源极和漏极；
所述氧化物修饰层设置于所述衬底与所述有源层之间；所述氧化物修饰层的材料包括n型氧化物材料或p型氧化物材料；所述n型氧化物材料包括氧化钽和氧化镧中的至少一种；
所述氧化物修饰层用于调节所述顶栅型薄膜晶体管的阈值电压；
所述氧化物修饰层与所述有源层接触设置；
所述氧化物修饰层和所述有源层依次层叠于所述衬底上且同时图形化形成。
2.根据权利要求1所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述p型氧化物材料包括氧化铜、氧化镍和氧化锡中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，当所述氧化物修饰层的材料包括n型氧化物材料时，所述氧化物修饰层还掺杂有稀土元素氧化物，其中的稀土元素包括钕(Nd）、镨(Pr）、钆(Gd）、铽(Tb）、镝(Dy）、铒(Er）、镱(Yb）的至少一种。
4.根据权利要求3所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述稀土元素与所述氧化物修饰层的质量比为1%-40%。
5.根据权利要求1所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物修饰层的厚度为5nm-20nm。
6.根据权利要求1所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物修饰层设置于所述衬底与所述有源层之间，所述氧化物修饰层的材料为氧化钇。
7.一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成依次层叠的氧化物修饰层和有源层；
在所述有源层上形成依次层叠的栅绝缘层和栅极；
整面覆盖钝化层；
在所述钝化层上形成源极和漏极，且所述源极及所述漏极均通过通孔与所述有源层电连接；
所述氧化物修饰层的材料包括n型氧化物材料或p型氧化物材料；
所述n型氧化物材料包括氧化钽和氧化镧中的至少一种；
所述氧化物修饰层用于调节所述顶栅型薄膜晶体管的阈值电压；
所述氧化物修饰层与所述有源层接触设置；
所述氧化物修饰层和所述有源层同时图形化形成。
8.根据权利要求7所述的顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在衬底上形成依次层叠的氧化物修饰层和有源层包括：
在衬底上依次形成氧化物层和金属氧化物半导体层；
同时图形化所述氧化物层及所述金属氧化物半导体层以分别得到所述氧化物修饰层和所述有源层。
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