[发明专利]发光二极管芯片的制备方法及发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底(10)，所述衬底(10)上依次制备N型半导体层(210)、发光层(220)以及P型半导体层(230)；

将所述P型半导体层(230)远离所述发光层(220)的部分表面沉积电流阻挡层(30)；

将所述电流阻挡层(30)远离所述P型半导体层(230)的表面以及所述P型半导体层(230)远离所述发光层(220)的表面沉积电流扩展层(40)；

在氮气环境下，以温度200℃～350℃，持温180秒～800秒进行第一次退火处理；

第一次退火处理后，在所述电流扩展层(40)远离所述P型半导体层(230)的表面进行光刻及刻蚀，刻蚀至所述N型半导体层(210)，形成N型半导体台面(50)；

在氮气环境下，以温度500℃～650℃，持温120秒～180秒进行第二次退火处理。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述发光二极管芯片的制备方法还包括：

第二次退火处理后，将所述N型半导体台面(50)远离所述衬底(10)的部分表面进行刻蚀，刻蚀至所述衬底(10)，形成隔离槽(60)；

将所述N型半导体台面(50)远离所述衬底(10)的部分表面沉积第一金属电极(710)，将所述电流扩展层(40)远离所述P型半导体层(230)的表面沉积第二金属电极(720)；

将所述电流扩展层(40)表面、所述N型半导体台面(50)表面以及所述隔离槽(60)表面沉积布拉格反射层(80)，且露出所述第一金属电极(710)与所述第二金属电极(720)；

在所述布拉格反射层(80)表面制作第一焊盘层(910)与第二焊盘层(920)，且所述第一焊盘层(910)将所述第一金属电极(710)覆盖实现电连接，所述第二焊盘层(920)将所述第二金属电极(720)覆盖实现电连接。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，将所述电流阻挡层(30)远离所述P型半导体层(230)的表面以及所述P型半导体层(230)远离所述发光层(220)的表面沉积电流扩展层(40)，并进行第一次退火处理，包括：

将所述电流阻挡层(30)远离所述P型半导体层(230)的表面以及所述P型半导体层(230)远离所述发光层(220)的表面沉积一层电流扩展层材料，且所述电流扩展层材料将所述电流阻挡层(30)全部覆盖；

提供电流扩展层图形，并根据所述电流扩展层图形在所述电流扩展层材料表面形成光刻胶层；

以具有所述电流扩展层图形的光刻胶层为掩膜遮挡，对所述电流扩展层材料进行刻蚀，并去除光刻胶层，形成与所述电流扩展层图形相对应的所述电流扩展层(40)；

形成所述电流扩展层(40)后放置于氮气环境，以温度200℃～350℃，持温180秒～800秒进行第一次退火处理。

4.如权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，第一次退火处理后，在所述电流扩展层(40)远离所述P型半导体层(230)的表面进行光刻及刻蚀，刻蚀至所述N型半导体层(210)，形成N型半导体台面(50)，并进行第二次退火处理，包括：

提供N型半导体台面图形，并根据所述N型半导体台面图形在所述电流扩展层(40)远离所述P型半导体层(230)的表面形成光刻胶层；

以具有所述N型半导体台面图形的光刻胶层为掩膜遮挡，对所述电流扩展层(40)、所述P型半导体层(230)以及所述发光层(220)进行刻蚀至所述N型半导体层(210)，并去除光刻胶层，形成与所述N型半导体台面图形相对应的所述N型半导体台面(50)；

形成所述N型半导体台面(50)后放入氮气环境，以温度500℃～650℃，持温120秒～180秒进行第二次退火处理。