[发明专利]一种半导体芯片正面铝层可焊化方法

权利要求书

1.一种半导体芯片正面铝层可焊化方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)针对背面电极金属为Ni/Ag的芯片，通过光刻方法在清洗后的芯片正面非电极区域覆盖光刻胶，得到光刻胶保护的芯片正面；

(2)对所述光刻胶保护的芯片正面采用湿法腐蚀处理，去除所述芯片正面铝层表面的氧化铝层，腐蚀完成后清洗表面残留的腐蚀剂，获得去除表面氧化铝层的芯片正面；

(3)在去除表面氧化铝层的芯片正面依次蒸镀金属钛、金属镍和金属银，获得蒸镀金属的芯片正面；所述蒸镀金属钛的厚度为100nm-300nm，金属镍的厚度为200nm-1000nm，金属银的厚度为200-1000nm；所述蒸镀具体步骤为：

(3-1)将去除表面氧化铝层的芯片装入蒸发台中，利用电子束蒸发源高空镀膜，真空度不低于9.0*10^-4Pa开始对芯片进行热烘烤，在温度80-150℃恒温4-10分钟；

(3-2)当真空度不低于8.0*10^-4Pa时开始蒸发，蒸发顺序依次为钛镍银，蒸发结束冷却后取片，获得蒸镀金属的芯片正面；

(4)对所述蒸镀金属的芯片正面进行光刻胶剥离处理，获得正面铝层可焊的半导体芯片；

并且，所述步骤(2)中，所述湿法腐蚀采用的腐蚀剂为温度范围在70-80℃之间的热磷酸，所述湿法腐蚀时间为3-4分钟；

此外，在步骤(2)完成以后的1分钟时间内进行步骤(3)，以避免芯片正面在空气中被再次氧化；

步骤(1)光刻时采用的掩模层中，对应于所述芯片正面栅极焊盘和源极焊盘之间区域的掩膜区域的宽度不小于该栅极焊盘和源极焊盘之间的实际距离。

2.如权利要求1所述的可焊化方法，其特征在于，所述掩模层中对应于栅极焊盘和源极焊盘之间区域的掩膜区域的宽度至少大于栅极焊盘和源极焊盘之间的距离0.08毫米。

3.如权利要求1所述的可焊化方法，其特征在于，步骤(1)所述清洗具体为：对待处理的芯片正面进行等离子体清洗，去除芯片正面铝层表面的灰尘和杂质，得到清洗后的芯片正面。

4.如权利要求1所述的可焊化方法，其特征在于，所述光刻方法涂胶时，先采用转速500-700rad/min旋涂3-8秒，再采用转速1000-3000rad/min旋涂8-12秒。

5.如权利要求1所述的可焊化方法，其特征在于，所述半导体芯片为宽禁带垂直功率半导体芯片。