[发明专利]OLED面板及其制作方法有效
申请号: | 201910228104.0 | 申请日: | 2019-03-25 |
公开(公告)号: | CN110021643B | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 彭斯敏;夏存军 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED面板,其特征在于,包括:
显示区域和通孔,所述显示区域围设在所述通孔的周边;
所述显示区域包括封装区,所述封装区围设在所述通孔的周侧;所述封装区包括一用于防止水氧入侵的杂化层,所述杂化层覆盖所述封装区和所述通孔的孔壁;
所述OLED面板包括一有机结构层;在所述封装区中,在所述有机结构层中形成无机物,所述无机物与所述有机结构层结合形成所述杂化层;
所述OLED面板还包括像素定义层和设置在所述像素定义层上的有机发光层;
当所述有机结构层为所述像素定义层和所述有机发光层的组合时,在所述封装区中,所述杂化层形成在所述有机发光层和所述像素定义层中;
当所述有机结构层为所述像素定义层时,在所述封装区中,所述杂化层形成在所述像素定义层中。
2.根据权利要求1所述的OLED面板,其特征在于,位于所述封装区的有机结构层的表面为粗糙面。
3.根据权利要求1或2所述的OLED面板,其特征在于,所述杂化层上形成有一无机层,所述无机层与所述杂化层通过原子渗透技术一体形成。
4.根据权利要求1所述的OLED面板,其特征在于,位于所述封装区的像素定义层上开设有凹槽,所述杂化层覆盖所述凹槽。
5.根据权利要求1所述的OLED面板,其特征在于,所述OLED面板还包括设置在所述有机发光层上的封装结构层,所述封装结构层包括第一无机层、有机层和第二无机层,所述有机层设置在所述第一无机层和所述第二无机层之间;
所述第一无机层覆盖所述有机发光层和所述杂化层上。
6.一种OLED面板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成像素定义层,所述像素定义层包括一通孔区域和显示区域,所述显示区域围设在所述通孔区域设置的周边,所述显示区域包括封装区,所述封装区围设在所述通孔区域的周侧;
在所述通孔区域上形成通孔;
在所述像素定义层上形成有机发光层;
在位于所述封装区形成杂化层,所述杂化层覆盖所述封装区和所述通孔的孔壁;所述像素定义层和所述有机发光层组合形成有机结构层,或所述像素定义层为有机结构层;
在位于所述封装区形成杂化层,包括以下步骤:在所述封装区中,在所述有机结构层中形成无机物,所述无机物与所述有机结构层结合形成所述杂化层。
7.根据权利要求6所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,在步骤:所述在位于所述封装区形成杂化层,之前,所述方法还包括步骤:
将位于所述封装区的有机结构层的表面处理为粗糙面。
8.根据权利要求6所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,所述像素定义层和所述有机发光层组合形成所述有机结构层;
所述在位于所述封装区形成杂化层,包括:
在所述封装区中,采用原子渗透技术在所述有机结构层中形成无机物,所述无机物与所述有机结构层结合形成杂化层。
9.根据权利要求6所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,在形成所述杂化层之前,所述方法包括:
在所述封装区中,去除所述有机发光层。
10.根据权利要求9所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,所述在位于所述封装区形成杂化层,包括:
在所述封装区中,采用原子渗透技术在所述像素定义层中形成无机物,所述无机物与所述像素定义层结合形成杂化层。
11.根据权利要求6所述的OLED面板的制作方法,其特征在于,在所述在位于所述封装区形成杂化层,步骤中;
当采用原子渗透技术形成杂化层后,原子渗透技术继续进行,在所述杂化层上形成一无机层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的