[发明专利]SOT-MRAM存储单元及SOT-MRAM存储器有效
| 申请号： | 201910228164.2 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111739570B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 殷标;孟皓 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C14/00 | 分类号： | G11C14/00 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sot mram 存储 单元 存储器 | ||
1.一种SOT-MRAM存储单元，其特征在于，包括：用于提供自旋轨道矩的重金属线、两个MTJ及其各自连接的二极管、双向选通器以及一个晶体管，
所述重金属线的两端各自连接至两条位线的其中一条位线，两个所述MTJ均位于所述重金属线的上表面，所述MTJ的自由层靠近所述重金属线而固定层远离所述重金属线，两个所述MTJ通过各自连接的二极管连接至所述晶体管的漏极，两个所述二极管的连接方向相反；
所述双向选通器的一端与所述重金属线连接，连接点位于所述重金属线的两个所述MTJ之间的位置，所述双向选通器的另一端与所述晶体管的漏极连接；
所述晶体管的栅极与字线连接，所述晶体管的源极与源线连接。
2.一种SOT-MRAM存储单元，其特征在于，包括：用于提供自旋轨道矩的重金属线、两个MTJ及其各自连接的二极管、双向选通器以及两个晶体管，
所述重金属线的两端各自连接至两个所述晶体管的其中一个晶体管的漏极，两个所述MTJ均位于所述重金属线的上表面，所述MTJ的自由层靠近所述重金属线而固定层远离所述重金属线，两个所述MTJ通过各自连接的二极管连接至位线，两个所述二极管的连接方向相反；
所述双向选通器的一端与所述重金属线连接，连接点位于所述重金属线的两个所述MTJ之间的位置，所述双向选通器的另一端与所述位线连接；
两个所述晶体管的栅极各自连接至两条字线的其中一条字线，两个所述晶体管的源极均连接至源线。
3.根据权利要求1或2所述的SOT-MRAM存储单元，其特征在于，所述MTJ为垂直磁化结构，所述MTJ的结构从下至上依次是自由层、隧穿层、固定层、间隔层和偏置层，其中所述偏置层用于为所述自由层提供一个偏置磁矩，以使所述自由层磁矩产生一个初始偏置角。
4.根据权利要求1或2所述的SOT-MRAM存储单元，其特征在于，所述MTJ为面内磁化结构，所述MTJ的结构从下至上依次是自由层、隧穿层和固定层。
5.根据权利要求1或2所述的SOT-MRAM存储单元，其特征在于，所述MTJ连接的二极管垂直堆叠于所述MTJ上。
6.根据权利要求1或2所述的SOT-MRAM存储单元，其特征在于，所述双向选通器为双向二极管，具有双向导通功能。
7.根据权利要求1或2所述的SOT-MRAM存储单元，其特征在于，所述双向选通器通过多层布线金属互联工艺与两个所述MTJ并联。
8.一种SOT-MRAM存储器，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的SOT-MRAM存储单元。
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