[发明专利]一种增益增强的运算放大器

权利要求书

1.一种运算放大器，其特征在于，其包括PMOS场效应晶体管MP1、MP2、MP3、MP4、NMOS场效应晶体管MN1、MN2、MN3、MN4以及电流源I1，

场效应晶体管MP3的源极与电源端相连，场效应晶体管MN2的源极与接地端相连，场效应晶体管MP3的漏极与场效应晶体管MN2的漏极相连，场效应晶体管MP3的栅极与其漏极和场效应晶体管MP4的栅极相连，场效应晶体管MN2的栅极与场效应晶体管MN1的栅极和漏极相连；

场效应晶体管MP4的源极与电源端相连，场效应晶体管MN4的源极与接地端相连，场效应晶体管MP4的漏极与场效应晶体管MN4的漏极相连后作为所述运算放大器的输出端，场效应晶体管MN4的栅极与场效应晶体管MN3的栅极和漏极相连；

场效应晶体管MP1的源极与电流源I1的电流输出端相连，电流源I1的电流输入端与电源端相连，场效应晶体管MP1的衬体端与其栅极相连后作为所述运算放大器的第一输入端，场效应晶体管MP1的漏极与场效应晶体管MN1的漏极相连，场效应晶体管MN1的源极与接地端相连；

场效应晶体管MP2的源极与电流源I1的电流输出端相连，场效应晶体管MP2的衬体端与其栅极相连后作为所述运算放大器的第二输入端，场效应晶体管MP2的漏极与场效应晶体管MN3的漏极相连，场效应晶体管MN3的源极与接地端相连。

2.一种运算放大器，其特征在于，其包括PMOS场效应晶体管MP1、MP2、MP3、MP4、NMOS场效应晶体管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5、MN6、第一电流源I1、第二电流源I2、第一电阻R1、第二电阻R2，

场效应晶体管MP3的源极与电源端相连，场效应晶体管MN2的源极与接地端相连，场效应晶体管MP3的漏极与场效应晶体管MN2的漏极相连，场效应晶体管MP3的栅极与其漏极和场效应晶体管MP4的栅极相连，场效应晶体管MN2的栅极与场效应晶体管MN1的栅极和漏极相连；

场效应晶体管MP4的源极与电源端相连，场效应晶体管MN4的源极与接地端相连，场效应晶体管MP4的漏极与场效应晶体管MN4的漏极相连后作为所述运算放大器的输出端，场效应晶体管MN4的栅极与场效应晶体管MN3的栅极和漏极相连；

场效应晶体管MP1的源极经由第一电阻R1与第一电流源I1的电流输出端相连，第一电流源I1的电流输入端与电源端相连，场效应晶体管MP1的衬体端与第一电流源I1的电流输出端相连，场效应晶体管MP1的栅极作为所述运算放大器的第一输入端，场效应晶体管MP1的漏极与场效应晶体管MN1的漏极相连，场效应晶体管MN1的源极与接地端相连；

场效应晶体管MP2的源极经由第二电阻R2与第一电流源I1的电流输出端相连，场效应晶体管MP2的衬体端与第一电流源I1的电流输出端相连，场效应晶体管MP2的栅极作为所述运算放大器的第二输入端，场效应晶体管MP2的漏极与场效应晶体管MN3的漏极相连，场效应晶体管MN3的源极与接地端相连；

场效应晶体管MN5的源极与第二电流源I2的电流输入端相连，其栅极与场效应晶体管MP1的栅极相连，其漏极与场效应晶体管MP1的源极相连，第二电流源I2的电流输出端与接地端相连；

场效应晶体管MN6的源极与第二电流源I2的电流输入端相连，其栅极与场效应晶体管MP2的栅极相连，其漏极与场效应晶体管MP2的源极相连。

3.根据权利要求2所述的运算放大器，其特征在于，

MN5和MN6设计为相同尺寸，第一电阻R1和第二 电阻R2采用相同尺寸，MP1和MP2采用相同尺寸。