[发明专利]一种GaN大电流自供电直流固态断路器及直流电源系统在审
| 申请号： | 201910228365.2 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN109768531A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 周郁明;肖彩虹 | 申请（专利权）人： | 安徽工业大学 |
| 主分类号： | H02H7/26 | 分类号： | H02H7/26 |
| 代理公司： | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人： | 王亚军 |
| 地址： | 243000 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大电流 主开关 直流固态断路器 直流电源系统 反激变换器 自供电 并联 断开 宽禁带半导体材料 直流电源供电 半导体固体 宽输入电压 参数一致 电压驱动 故障电路 固体开关 输出稳定 同步动作 正常电流 直流电源 氮化镓 断路器 外电源 自激式 配电 通型 电源 供电 传递 个性 制作 | ||
1.一种GaN大电流自供电直流固态断路器，其特征在于：包括，主开关和反激变换器，主开关和反激变换器并联，主开关由若干宽禁带GaN半导体固体开关并联构成。
2.根据权利要求1所述的一种GaN大电流自供电直流固态断路器，其特征在于：主开关和反激变换器的连接关系如下，
若干个并联的宽禁带GaN半导体固体开关按对称结构布置；若干个宽禁带GaN半导体固体开关的驱动电极从它们的对称点中心引出连接线，连接到反激变换器输出端的负极；若干个宽禁带GaN半导体固体开关的阳极从它们的对称点中心引出连接线，连接到直流电源；若干个宽禁带GaN半导体固体开关的阴极从它们的对称点中心引出连接线，连接到负载；反激变换器输出端的正极连接到半导体固体开关阴极的对称点中心；反激变换器输入端的正极连接到半导体固体开关阳极的对称点中心；反激变换器输入端的负极连接到半导体固体开关阴极的对称点中心。
3.根据权利要求1或2所述的一种GaN大电流自供电直流固态断路器，其特征在于：所述宽禁带GaN半导体固体开关为常通型结构。
4.根据权利要求3所述的一种GaN大电流自供电直流固态断路器，其特征在于：所述宽禁带GaN半导体固体开关为对称或非对称结构。
5.根据权利要求1所述的一种GaN大电流自供电直流固态断路器，其特征在于：所述的宽禁带GaN半导体固体开关为GaN HEMT或GaN SIT。
6.根据权利要求1或2所述的一种GaN大电流自供电直流固态断路器，其特征在于：反激变换器是自激式结构。
7.一种直流电源系统，其特征在于：直流电源系统包括权利要求1-6任意所述的GaN大电流自供电直流固态断路器，断路器主开关串联在电源和负载之间。
8.根据权利要求7所述的一种直流电源系统，其特征在于：具体连接方式如下，负载的一端连接电源的负极，另一端连接断路器主开关中宽禁带GaN半导体固体开关的阴极对称点中心，电源的正极与断路器主开关中宽禁带GaN半导体固体开关的阳极对称点中心相连。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽工业大学，未经安徽工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910228365.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
