[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910228515.X | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN110660856A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 綦振瀛;邹承翰;陈仕鸿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介面层 半导体装置 接触金属层 接触结构 通道层 半导体 铝硅铜合金 接触通道 基板 制造 | ||
本揭露提供半导体接触结构、包含半导体接触结构的半导体装置及其制造方法。在实施方式中，半导体装置包含基板上的通道层；通道层上的介面层，其中介面层包含钛(Ti)且接触通道层；以及在介面层上的接触金属层，其中接触金属层包含铝硅铜合金(AlSiCu)。
技术领域
本揭露是关于一种半导体装置。
背景技术
半导体装置用于各种电子应用，例如个人电脑、手机、数字相机和其他电子设备。通常通过在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并使用光刻微影来图案化各种材料层，以在其上形成电路元件和部件，来制造半导体装置。
半导体工业通过不断缩小最小特征尺寸，持续提高各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度，从而允许更多元件集积到给定区域中。但是，随着最小特征尺寸的缩小，出现了应该解决的其他问题。
发明内容
根据部分实施方式，半导体装置包含在基板上的通道层；通道层上的介面层，介面层包括钛(Ti)，介面层与通道层接触；介面层上的接触金属层，接触金属层包括铝硅铜合金(AlSiCu)。
附图说明
根据以下详细说明并配合阅读附图，使本揭露的态样获致较佳的理解。须注意的是，根据业界的标准作法，附图的各种特征并未按照比例绘示。事实上，为了进行清楚的讨论，特征的尺寸可以经过任意的缩放。
图1绘示根据本揭露的部分实施方式的半导体基板的剖面示意图；
图2绘示根据本揭露的部分实施方式的形成介电层及图案化光阻的剖面示意图；
图3绘示根据本揭露的部分实施方式的离子植入制程的剖面示意图；
图4绘示根据本揭露的部分实施方式的移除屏蔽层以及图案化光阻的剖面示意图；
图5绘示根据本揭露的部分实施方式的形成硬式遮罩层与图案化光阻的剖面示意图；
图6绘示根据本揭露的部分实施方式的蚀刻通道层以及缓冲层的剖面示意图；
图7绘示根据本揭露的部分实施方式的移除硬式遮罩层与图案化光阻的剖面示意图；
图8绘示根据本揭露的部分实施方式的形成栅极介电层的剖面示意图；
图9绘示根据本揭露的部分实施方式的形成金属栅极层的剖面示意图；
图10绘示根据本揭露的部分实施方式的形成金属堆叠的剖面示意图；
图11绘示根据本揭露的部分实施方式的形成层间介电层的剖面示意图；
图12A至图12B绘示根据本揭露的部分实施方式的在层间介电层中形成开口的剖面示意图；
图13绘示根据本揭露的部分实施方式的形成导电衬层的剖面示意图；
图14绘示根据本揭露的部分实施方式的形成导电填充材料的剖面示意图；
图15A至图15C绘示根据本揭露的部分实施方式的形成导电接触的剖面示意图；
图16绘示根据本揭露的部分实施方式的包含导电接触的晶体管的立体示意图。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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