[发明专利]半导体芯片

权利要求书

1.一种半导体芯片，包含：

功能区，具有相对的第一面及第二面；

第一端，设置于该第一面上；

第二端；

第三端，设置于该第一面上，其中该半导体芯片依据该第三端及该第一端之间所接收的驱动信号而进行导通或关断的切换；及

连接部，设置于该功能区的该第一面且连接该第一端及该第三端，其中当温度上升至高于第一温度时该连接部为导电态，使该半导体芯片因该第一端及该第三端之间短路而关断，当温度下降至不高于第三温度时，该连接部为绝缘态，其中该第一温度大于或等于该第三温度。

2.如权利要求1所述的半导体芯片，其中该驱动信号为电压。

3.如权利要求1所述的半导体芯片，其中该第一端及该第二端为输出端。

4.如权利要求1所述的半导体芯片，其中该半导体芯片更包含金属布线层，而该第一温度小于该金属布线层的熔化温度，且该第一温度小于使该半导体芯片失去半导体特性的最低温度。

5.如权利要求1所述的半导体芯片，其中该半导体芯片的温度下降至不高于第二温度时为正常工作，而该第二温度小于该第一温度。

6.如权利要求1所述的半导体芯片，其中该半导体芯片为金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管、高电子迁移率晶体管或双极结型晶体管。

7.如权利要求1所述的半导体芯片，其中该连接部为温致相变材料或低熔融温度玻璃。

8.如权利要求1所述的半导体芯片，其中该半导体芯片包含第一钝化层，设置于该功能区的该第一面，该连接部覆盖于该第一钝化层之上。

9.如权利要求1或8所述的半导体芯片，其中该半导体芯片包含第二钝化层，覆盖于该连接部之上。

10.如权利要求9所述的半导体芯片，其中该半导体芯片包含金属层，设置于该连接部及该第二钝化层之间，并与该连接部相接触，该金属层经由该连接部与该第一端及该第三端相连接，或该金属层的一端与该第一端相接触，而经由该连接部与该第三端相连接，或该金属层的一端与该第三端相接触，而经由该连接部与该第一端相连接。

11.如权利要求1所述的半导体芯片，其中该半导体芯片的材料为碳化硅或氮化镓。

12.如权利要求1所述的半导体芯片，其中该半导体芯片包含金属层，与该连接部相接触，该金属层经由该连接部与该第一端及该第三端相连接，或该金属层的一端与该第一端相接触，而经由该连接部与该第三端相连接，或该金属层的一端与该第三端相接触，而经由该连接部与该第一端相连接。

13.一种工艺方法，应用于半导体芯片，包含：

步骤(a)：设置芯片本体，包含功能区、第一端、第二端及第三端，该功能区具有相对的第一面及第二面，该第一端及该第三端设置于该第一面上，该第一端及该第三端之间接收驱动信号以控制该半导体芯片为导通或关断；及

步骤(b)：形成连接部于该功能区的该第一面且连接该第一端及该第三端，其中当该连接部的温度上升至高于第一温度时为导电态，使该半导体芯片因该第一端及该第三端之间短路而关断，该连接部的温度下降至不高于第三温度时为绝缘态，其中该第一温度大于或等于该第三温度。

14.如权利要求13所述的工艺方法，其中该半导体芯片下降至不高于第二温度时为正常工作，而该第二温度小于该第一温度。

15.如权利要求13所述的工艺方法，其中于该工艺方法的该步骤(b)中，该连接部利用物理气相沉积、化学气相沉积、旋涂玻璃或点涂工艺形成于该功能区的该第一面。

16.如权利要求13所述的工艺方法，其中该工艺方法更包含：

步骤(c)：形成金属层与该连接部相接触，使得该金属层经由该连接部与该第一端及该第三端相连接，或该金属层的一端与该第一端相接触，而经由该连接部与该第三端相连接，或该金属层的一端与该第三端相接触，而经由该连接部与该第一端相连接。