[发明专利]有机电致发光结构、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201910228678.8 | 申请日: | 2019-03-25 |
公开(公告)号: | CN109920832B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 陈雪芹;邱丽霞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06V40/13;G06V10/147 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 结构 显示 面板 显示装置 | ||
本申请涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种有机电致发光结构、显示面板及显示装置。该有机电致发光结构,包括:第一电极层;近红外发光层,形成在所述第一电极层上,所述近红外发光层用于发射近红外光;显示发光层,形成在所述近红外发光层背离所述第一电极层的一侧,且所述显示发光层包括至少两种不同颜色的发光像素;第二电极层,形成在所述显示发光层背离所述近红外发光层的一侧,所述第二电极层与所述第一电极层的极性相反。该方案可简化显示面板的制作过程,从而降低显示面板的加工难度。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种有机电致发光结构、显示面板及显示装置。
背景技术
目前,在手机等显示装置中,近红外技术被广泛应用,例如:指纹识别器、距离传感器、心率传感器、3D面部识别等均可利用近红外技术。
相关技术中,显示装置中近红外结构与显示结构相互独立地设置在显示面板上,也就是说,在制作完显示结构之后,还需要单独制作近红外结构,这样会导致显示面板的制作过程较复杂,提高了加工难度。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本申请的目的在于提供一种有机电致发光结构、显示面板及显示装置,可简化显示面板的制作过程,从而降低显示面板的加工难度。
本申请第一方面提供了一种有机电致发光结构,其包括:
第一电极层;
近红外发光层,形成在所述第一电极层上,所述近红外发光层用于发射近红外光;
显示发光层,形成在所述近红外发光层背离所述第一电极层的一侧,且所述显示发光层包括至少两种不同颜色的发光像素;
第二电极层,形成在所述显示发光层背离所述近红外发光层的一侧,所述第二电极层与所述第一电极层的极性相反。
在本申请的一种示例性实施例中,所述至少两种不同颜色的发光像素包括红光像素、绿光像素及蓝光像素,所述绿光像素的厚度小于述红光像素的厚度,且大于所述蓝光像素的厚度。
在本申请的一种示例性实施例中,所述显示发光层在所述第一电极层上的正投影与所述近红外发光层在所述第一电极层上的正投影重合。
在本申请的一种示例性实施例中,所述近红外发光层包括依次堆叠在所述第一电极层上的空穴传输膜层及近红外发光膜层;
所述显示发光层包括依次堆叠在所述近红外发光膜层上的像素发光膜层及电子传输膜层,所述像素发光膜层包括所述至少两种不同颜色的发光像素。
在本申请的一种示例性实施例中,所述近红外发光层包括依次堆叠在所述第一电极层上的第一空穴传输膜层、近红外发光膜层及第一电子传输膜层;
所述有机电致发光结构还可包括形成在所述第一电子传输膜层上背离所述近红外发光膜层一侧的电荷产生膜层;
所述显示发光层包括依次堆叠在所述电荷产生膜层上的第二空穴传输层、所述像素发光膜层及第二电子传输膜层,所述像素发光膜层包括所述至少两种不同颜色的发光像素。
在本申请的一种示例性实施例中,所述第一电极层为阳极层,所述第二电极层为阴极层。
本申请第二方面提供了一种显示面板,其包括衬底基板及上述任一项所述的有机电致发光结构,所述有机电致发光结构设置于所述衬底基板上。
在本申请的一种示例性实施例中,所述显示面板还包括识别模组,所述识别模组包括发光单元,所述发光单元为所述有机电致发光结构的近红外发光层;其中,所述识别模组为指纹识别模组和面部识别模组中的至少一者。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910228678.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的