[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201910229584.2 | 申请日: | 2011-06-09 |
公开(公告)号: | CN110246870B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 佐川裕志 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/121;H10K59/131;H10K59/124;G09G3/32 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
像素驱动电路形成层;以及
发光部形成层,所述发光部形成层包括第一发光部、与所述第一发光部相邻的第二发光部以及与所述第二发光部相邻的第三发光部,所述第一发光部、所述第二发光部和所述第三发光部分别形成在所述像素驱动电路形成层上,
其中,所述像素驱动电路形成层包括:
(i)所述第一发光部的第一像素驱动电路;
(ii)所述第二发光部的第二像素驱动电路;以及
(iii)所述第三发光部的第三像素驱动电路,
其中,所述第一像素驱动电路、所述第二像素驱动电路和所述第三像素驱动电路中的每一个包括第一金属层和位于所述第一金属层上方的第二金属层,
所述第一像素驱动电路的所述第二金属层具有第一平面形状,所述第二像素驱动电路的所述第二金属层具有不同于所述第一平面形状的第二平面形状,以及
所述第三像素驱动电路的所述第二金属层具有不同于所述第二平面形状的第三平面形状。
2.根据权利要求1所述的显示装置,所述第一平面形状、所述第二平面形状以及所述第三平面形状各自在彼此不同的位置处具有沟槽。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述第一像素驱动电路、所述第二像素驱动电路和所述第三像素驱动电路中的每一个具有连接至电源供给线的驱动晶体管,所述电源供给线被形成为所述第二金属层;
用于所述第一像素驱动电路、所述第二像素驱动电路和所述第三像素驱动电路的电源供给线具有彼此不同的形状。
4.根据权利要求1所述的显示装置,
所述第一像素驱动电路、所述第二像素驱动电路和所述第三像素驱动电路中的每一个的所述第二金属层是用于存储电容器的金属层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置,其中,所述第一像素驱动电路、所述第二像素驱动电路和所述第三像素驱动电路具有相同的宽度。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置,
所述第一像素驱动电路、所述第二像素驱动电路和所述第三像素驱动电路各自分别设置在所述第一发光部、所述第二发光部和所述第三发光部下方。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置,其中,所述像素驱动电路形成层包括保护层和设置在所述保护层上的平坦化层,所述第一像素驱动电路、所述第二像素驱动电路和所述第三像素驱动电路中的每一个的所述第二金属层由所述保护层所覆盖,以及所述发光部形成层设置在所述平坦化层上。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述保护层在所述第一发光部、所述第二发光部和所述第三发光部下方的区域中的表面形状彼此不同。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置,其中,所述第一发光部用于第一颜色,所述第二发光部用于不同于所述第一颜色的第二颜色,以及所述第三发光部用于不同于所述第一颜色和所述第二颜色的第三颜色。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一像素驱动电路、所述第二像素驱动电路和所述第三像素驱动电路中的每一个是有源型驱动电路,所述有源型驱动电路包括驱动晶体管、写入晶体管和存储电容器,以及所述第一发光部、所述第二发光部和所述第三发光部中的每一个串联连接至位于电源供给线与共用电源供给线之间的相应驱动晶体管,以及所述驱动晶体管和所述写入晶体管是薄膜晶体管。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,在所述第一像素驱动电路、所述第二像素驱动电路和所述第三像素驱动电路中的每一个中,写入晶体管具有连接至信号线的漏电极并且被供应有来自信号驱动电路的图像信号,写入晶体管具有连接至扫描线的栅电极并且被供应有来自扫描线驱动电路的扫描信号,以及所述写入晶体管的源电极连接至所述驱动晶体管的栅电极,以及存储电容器形成于所述驱动晶体管的栅电极与所述驱动晶体管的源电极之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的