[发明专利]一种抗菌型高阻隔易撕复合膜及其制备方法

权利要求书

1.一种抗菌型高阻隔易撕复合膜，其特征在于:由上至下依次包括基材层、底涂层、阻隔抗菌涂层、胶粘层以及热封层；

所述基材层是由三层共挤双向拉伸尼龙薄膜组成，由上至下依次为A、B、C层；

其中，所述A层和C层均由65％～84.5％的PA6、15％～30％的MXD6、0.5％～1％的纳米无机盐、0～1％的开口剂和0～1％的爽滑剂组成；所述B层是由95％～99.5％的MXD6和0.5％～1.5％的纳米无机盐组成；

所述阻隔抗菌涂层由0.3％～2％的无机抗菌剂和98％～99.7％的耐水改性PVA乳液组成；

所述无机抗菌剂为银基、锌基、钛基抗菌剂中的一种或几种组成；

所述抗菌型高阻隔易撕复合膜的制备方法包括以下步骤：

步骤a、制备基材层：

①将PA6、MXD6按照比例用混料机混料，得到的混合料与纳米无机盐、开口剂和爽滑剂按照比例混合，经双螺杆挤出机熔融共混、挤出、造粒，得到纳米易撕母粒，备用；

②将MXD6和纳米无机盐按照比例，经双螺杆挤出机熔融共混、挤出、造粒，得到纳米阻隔母粒，备用；

③将①中得到的母粒分别投入两台辅机，制作A层和C层；将②中得到的母粒投入主机，制作B层；

④将③中各层通过熔融共挤、铸片，得到由A、B、C层组成的厚片；

⑤将④中得到的厚片经水槽调湿后，进行同步双向拉伸、定型；

⑥将⑤中得到的薄膜C层进行电晕处理，然后收卷、分切待用；

步骤b、将步骤a中制得的基材层薄膜放卷，在电晕处理一侧先涂布底涂剂，接着薄膜进入烘箱烘干，随后再涂布配置好的阻隔抗菌涂布液，最后进入烘箱烘干，收卷，备用；

步骤c、将步骤b中得到的薄膜经胶黏剂与PE复合，在45℃下熟化48h，得到抗菌型高阻隔易撕复合膜。

2.根据权利要求1所述抗菌型高阻隔易撕复合膜，其特征在于:所述基材层厚度为15μm，所述A层和C层厚度均为3～4μm，其中C层经过电晕处理，其电晕值＞52dyn。

3.根据权利要求1所述抗菌型高阻隔易撕复合膜，其特征在于:所述开口剂由二氧化硅、滑石粉、高岭土、碳酸钙、粘土中的一种或几种组成。

4.根据权利要求1所述抗菌型高阻隔易撕复合膜，其特征在于:所述爽滑剂由油酸酰胺、芥酸酰胺、聚乙烯蜡、有机硅油中的一种或几种组成。

5.根据权利要求1所述抗菌型高阻隔易撕复合膜，其特征在于:所述底涂层厚度为1～2μm；所述阻隔抗菌涂层厚度为1～2μm。

6.根据权利要求1所述抗菌型高阻隔易撕复合膜，其特征在于:所述胶粘层由水性聚氨酯涂层组成，厚度为0.5～1μm。

7.根据权利要求1所述抗菌型高阻隔易撕复合膜，其特征在于:所述热封层由CPP或LLDPE中的一种组成，厚度为50～60μm。

8.一种根据权利要求1-7任一项所述抗菌型高阻隔易撕复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤a、制备基材层：

①将PA6、MXD6按照比例用混料机混料，得到的混合料与纳米无机盐、开口剂和爽滑剂按照比例混合，经双螺杆挤出机熔融共混、挤出、造粒，得到纳米易撕母粒，备用；

②将MXD6和纳米无机盐按照比例，经双螺杆挤出机熔融共混、挤出、造粒，得到纳米阻隔母粒，备用；

③将①中得到的母粒分别投入两台辅机，制作A层和C层；将②中得到的母粒投入主机，制作B层；

④将③中各层通过熔融共挤、铸片，得到由A、B、C层组成的厚片；

⑤将④中得到的厚片经水槽调湿后，进行同步双向拉伸、定型；

⑥将⑤中得到的薄膜C层进行电晕处理，然后收卷、分切待用；

步骤b、将步骤a中制得的基材层薄膜放卷，在电晕处理一侧先涂布底涂剂，接着薄膜进入烘箱烘干，随后再涂布配置好的阻隔抗菌涂布液，最后进入烘箱烘干，收卷，备用；

步骤c、将步骤b中得到的薄膜经胶黏剂与PE复合，在45℃下熟化48h，得到抗菌型高阻隔易撕复合膜。

9.根据权利要求8所述抗菌型高阻隔易撕复合膜的制备方法，其特征在于：步骤a第⑤步中拉伸温度为120～150℃，拉伸倍率为3.2×3.2～3.4×3.4，定型温度为140～160℃。